[发明专利]一种掩模板清洗系统及清洗方法在审
申请号: | 201910365312.5 | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110174815A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 杨硕;高孝裕;李素华;袁亚鸿;王善鹤;郑立明;张迪 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本申请公开了一种掩模板清洗系统及清洗方法,该清洗系统包括:有机清洗组件,用于清洗掩模板上的有机物;酸清洗组件,用于清洗掩模板上能够被酸清洗的无机物;碱清洗组件,用于清洗掩模板上能够被碱清洗的无机物;脱水组件,用于对经有机清洗组件、酸清洗组件或碱清洗组件清洗过的掩模板进行脱水;干燥室,用于对经脱水组件脱水处理过的掩模板进行干燥;其中,有机清洗组件、酸清洗组件、碱清洗组件、脱水组件和干燥室的位置不在同一条直线上,且有机清洗组件、酸清洗组件、碱清洗组件、脱水组件和干燥室的设置满足预设条件。通过上述方式,本申请能够清洗三种类型的掩模板且使尺寸更为紧凑。 | ||
搜索关键词: | 掩模板 清洗 碱清洗 酸清洗 脱水组件 有机清洗 清洗系统 干燥室 无机物 同一条直线 脱水处理 预设条件 有机物 申请 脱水 紧凑 | ||
【主权项】:
1.一种掩模板清洗系统,其特征在于,所述清洗系统包括:有机清洗组件,用于清洗所述掩模板上的有机物;酸清洗组件,用于清洗所述掩模板上能够被酸清洗的无机物;碱清洗组件,用于清洗所述掩模板上能够被碱清洗的无机物;脱水组件,用于对经所述有机清洗组件、所述酸清洗组件或所述碱清洗组件清洗过的所述掩模板进行脱水;干燥室,用于对经所述脱水组件脱水处理过的所述掩模板进行干燥;其中,所述有机清洗组件、所述酸清洗组件、所述碱清洗组件、所述脱水组件和所述干燥室的位置不在同一条直线上,且所述有机清洗组件、所述酸清洗组件、所述碱清洗组件、所述脱水组件和所述干燥室的设置满足安全标准要求。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备