[发明专利]存储器阵列中的错误校正方法及实施其的系统有效

专利信息
申请号: 201710508727.4 申请日: 2017-06-28
公开(公告)号: CN107564568B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 池育德;李嘉富;刘建瑛;史毅骏;陈冠均;杨学之;吕士濂 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种校正存储器阵列中的错误的方法。该方法包括配置具有第一纠错码(ECC)的第一存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正,配置具有第二ECC的第二存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正,对第一存储器阵列和第二存储器阵列实施回流工艺,以及至少基于第一ECC或第二ECC校正存储在第一存储器阵列中的数据。第一存储器阵列包括布置为多行和多列的第一组存储器单元。第二存储器阵列包括布置多行和多列的第二组存储器单元。本发明还提供了实施校正存储器阵列中的错误的方法的系统。
搜索关键词: 存储器 阵列 中的 错误 校正 方法 实施 系统
【主权项】:
一种校正存储器阵列中的错误的方法,所述方法包括:配置具有第一纠错码ECC的第一存储器阵列以提供存储在所述第一存储器阵列中的数据的错误校正,所述第一存储器阵列包括布置为多行和多列的第一组存储器单元,所述第一组存储器单元中的一行存储器单元包括第一组存储器字,所述第一组存储器字中的每个字包括第一组比特;配置具有第二ECC的第二存储器阵列以提供存储在所述第一存储器阵列中的数据的错误校正,所述第二存储器阵列包括布置为多行和多列的第二组存储器单元,所述第二组存储器单元中的一行存储器单元包括第二组存储器字,所述第二组存储器字中的每个字包括第二组比特;对所述第一存储器阵列和所述第二存储器阵列实施回流工艺;以及至少基于所述第一ECC或所述第二ECC来校正存储在所述第一存储器阵列中的数据。
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