[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310367482.X | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103681785A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 北川光彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，具备半导体基板、形成在上述半导体基板内的元件部、以及形成在上述半导体基板内且具有包围上述元件部的环形状的结末端部。进而，上述结末端部包括第1导电型的多个第1半导体区域和第2导电型的多个第2半导体区域。进而，上述多个第1半导体区域在上述结末端部的环形状的周向上相互邻接，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而减小。进而，上述多个第2半导体区域配置在上述第1半导体区域之间，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板；元件部，形成在上述半导体基板内；以及结末端部，形成在上述半导体基板内，具有包围上述元件部的环形状，上述结末端部包括第1导电型的多个第1半导体区域、以及第2导电型的多个第2半导体区域，上述多个第1半导体区域在上述结末端部的环形状的周向上相互邻接，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而减小，上述多个第2半导体区域配置在上述第1半导体区域之间，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而增加。
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