[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

元件部，形成在上述半导体基板内；以及

结末端部，形成在上述半导体基板内，具有包围上述元件部的环形状，

上述结末端部包括第1导电型的多个第1半导体区域、以及第2导电型的多个第2半导体区域，

上述多个第1半导体区域在上述结末端部的环形状的周向上相互邻接，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而减小，

上述多个第2半导体区域配置在上述第1半导体区域之间，宽度随着向远离上述元件部的方向前进而增加。

2.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第1半导体区域内的上述第1导电型的杂质的剂量和上述第2半导体区域内的上述第2导电型的杂质的剂量都是均匀的。

3.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第1半导体区域内的上述第1导电型的杂质的剂量比上述第2半导体区域内的上述第2导电型的杂质的剂量多。

4.如权利要求3记载的半导体装置，

上述第1半导体区域内的上述第1导电型的杂质的剂量是上述第2半导体区域内的上述第2导电型的杂质的剂量的2倍～4倍。

5.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第2半导体区域的底面的深度比上述第1半导体区域的底面的深度深。

6.如权利要求5记载的半导体装置，

上述第2半导体区域与上述第1半导体区域的底面接触。

7.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第1半导体区域的底面的深度比上述第2半导体区域的底面的深度深。

8.如权利要求7记载的半导体装置，

上述第1半导体区域与上述第2半导体区域的底面接触。

9.如权利要求1记载的半导体装置，

上述第1半导体区域及上述第2半导体区域的平面形状是三角形。

10.如权利要求1记载的半导体装置，

上述结末端部还具备：

上述第1导电型的第1连接区域，连接上述第1半导体区域彼此；

上述第2导电型的第2连接区域，连接上述第2半导体区域彼此；以及

沟槽电极，隔着沟槽绝缘膜形成在以贯通上述第1连接区域的方式形成的沟槽内。

11.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

元件部，形成在上述半导体基板内；以及

结末端部，形成在上述半导体基板内，具有包围上述元件部的环形状，

上述结末端部包括第1导电型的多个第1半导体区域和第2导电型的多个第2半导体区域，

上述多个第1半导体区域在上述结末端部的环形状的周向上相互邻接，

上述多个第2半导体区域配置在上述第1半导体区域之间，

相互邻接的上述第1半导体区域彼此之间的区域包括：

2个以上的上述第2半导体区域，在从上述元件部离开的方向上相互断开；以及

1个以上的电极，埋入到断开的上述第2半导体区域彼此之间。

12.如权利要求11记载的半导体装置，

上述第1半导体区域内的上述第1导电型的杂质的剂量和上述第2半导体区域内的上述第2导电型的杂质的剂量都是均匀的。

13.如权利要求11记载的半导体装置，

上述第1半导体区域内的上述第1导电型的杂质的剂量比上述第2半导体区域内的上述第2导电型的杂质的剂量多。

14.如权利要求11记载的半导体装置，

上述第1半导体区域及上述第2半导体区域的上述周向的宽度为一定。

15.如权利要求11记载的半导体装置，

上述电极的底面的深度比上述第2半导体区域的底面的深度深。

16.如权利要求11记载的半导体装置，

上述电极的宽度比上述第2半导体区域的宽度小。