[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种用于制造半导体器件的方法。该制造方法包括以下步骤：形成设置有浮栅、中间绝缘膜、及控制栅的闪存单元；形成第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；将硅衬底和浮栅的表面热氧化；经由光致抗蚀剂图案的窗口蚀刻部分区域中的隧道绝缘膜；在部分区域中的第一杂质扩散区上形成金属硅化物层；形成覆盖闪存单元的层间绝缘膜；以及在层间绝缘膜的第一孔中形成连接到金属硅化物层的导电插塞。本发明能够防止器件隔离绝缘膜在蚀刻热绝缘膜时被蚀刻。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底之上，顺序形成热氧化膜、第一导电膜及中间绝缘膜；在所述中间绝缘膜之上形成第二导电膜；通过图案化所述第一导电膜、所述中间绝缘膜及所述第二导电膜，形成设置有浮栅、所述中间绝缘膜及控制栅的闪存单元；在所述半导体衬底位于所述控制栅旁的部分中，形成将作为所述闪存单元的源/漏区的第一杂质扩散区和第二杂质扩散区；在形成所述第一杂质扩散区和所述第二杂质扩散区之后，将所述半导体衬底和所述浮栅各自的表面热氧化；在热氧化之后，在所述热氧化膜和所述闪存单元之上，形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案在所述第一杂质扩散区的部分区域之上设置有窗口；通过经由所述窗口进行蚀刻，除去所述部分区域中的所述热氧化膜；除去所述光致抗蚀剂图案；在所述第一杂质扩散区的所述部分区域上形成金属硅化物层；形成覆盖所述闪存单元的层间绝缘膜；在位于所述部分区域之上的所述层间绝缘膜中，形成第一孔；以及在所述第一孔中形成连接到所述金属硅化物层的导电插塞。