[发明专利]HVMOS及集成HVMOS与CMOS的半导体器件有效
| 申请号： | 200810080588.0 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101226962A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谭健 | 申请（专利权）人： | 谭健 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 上海市虹漕南*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种HVMOS及集成HVMOS与CMOS的半导体器件，该HVMOS包括衬底、沟道、栅极、源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的另一轻掺杂区和一紧挨着该另一轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱包含所述源/漏极；一与所述源/漏极掺杂类型相反的另一反向掺杂阱，该另一反向掺杂阱位于所述另一源/漏极的另一轻掺杂区和所述反向掺杂阱之间。本HVMOS充分利用CMOS已有的工艺，大大减化掩膜层数，具有导通电阻小，寄生电容低，开关速度快，开关频率高，成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | hvmos 集成 cmos 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一HVMOS，包括一半导体衬底，一位于该衬底表面的沟道，以及位于该沟道上的一栅极，其特征在于还包括：一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的另一轻掺杂区和一紧挨着该另一轻掺杂区的重掺杂区；一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱包含所述源/漏极，且包含部分该沟道，但不完全包含该沟道；一与所述源/漏极掺杂类型相反的另一反向掺杂阱，该另一反向掺杂阱位于所述另一源/漏极的另一轻掺杂区和所述反向掺杂阱之间，且完全包含所述反向掺杂阱所不包含的该沟道部分。
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