[发明专利]HVMOS及集成HVMOS与CMOS的半导体器件

权利要求书

1.一HVMOS，包括一半导体衬底，一位于该衬底表面的沟道，以及位于该沟道上的一栅极，其特征在于还包括：

一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；

另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的另一轻掺杂区和一紧挨着该另一轻掺杂区的重掺杂区；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱包含所述源/漏极，且包含部分该沟道，但不完全包含该沟道；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的另一反向掺杂阱，该另一反向掺杂阱位于所述另一源/漏极的另一轻掺杂区和所述反向掺杂阱之间，且完全包含所述反向掺杂阱所不包含的该沟道部分。

2.根据权利要求1所述的HVMOS，其特征在于：所述源/漏极的轻掺杂区是P型轻掺杂区，所述源/漏极的重掺杂区是P型重掺杂区，所述另一源/漏极的另一轻掺杂区是P型另一轻掺杂区，所述另一源/漏极的重掺杂区是P型重掺杂区，所述反向掺杂阱是N型阱，所述另一反向掺杂阱是N型阱，其掺杂浓度低于所述反向掺杂阱。

3.根据权利要求2所述的HVMOS，其特征在于：还包括包围所述源/漏极、所述另一源/漏极、所述反向掺杂阱、所述另一反向掺杂阱、所述沟道的一与所述源/漏极掺杂类型相同的同向掺杂阱。

4.根据权利要求1所述的HVMOS，其特征在于：所述源/漏极的轻掺杂区是N型轻掺杂区，所述源/漏极的重掺杂区是N型重掺杂区，所述另一源/漏极的另一轻掺杂区是N型另一轻掺杂区，所述另一源/漏极的重掺杂区是N型重掺杂区，所述反向掺杂阱是P型阱，所述另一反向掺杂阱是P型阱，其掺杂浓度低于所述反向掺杂阱。

5.根据权利要求4所述的HVMOS，其特征在于：还包括包围所述源/漏极，所述另一源/漏极、所述反向掺杂阱、所述另一反向掺杂阱、所述沟道的一与所述源/漏极掺杂类型相同的同向掺杂阱。

6.一种集成HVMOS与CMOS的半导体器件，包括设于一半导体衬底上一CMOS和一HVMOS，其特征在于该HVMOS包括：

一位于该衬底表面的沟道，位于该沟道上的栅极，

一源/漏极，该源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的轻掺杂区和一紧挨着该轻掺杂区的重掺杂区；

另一源/漏极，该另一源/漏极包含一位于所述沟道旁且紧挨着该沟道的另一轻掺杂区和一紧挨着该另一轻掺杂区的重掺杂区；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的反向掺杂阱，该反向掺杂阱包含所述源/漏极，且包含部分该沟道但不全部包含该沟道；

一与所述源/漏极掺杂类型相反的另一反向掺杂阱，该另一反向掺杂阱位于所述另一源/漏极的另一轻掺杂区和所述反向掺杂阱之间，且完全包含所述反向掺杂阱所不包含的该沟道部分。

7.根据权利要求6所述的集成HVMOS与CMOS的半导体器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，该HVNMOS的源/漏极的重掺杂区的掺杂浓度比该NMOS源/漏极的重掺杂区的掺杂浓度低。

8.根据权利要求6所述的集成HVMOS与CMOS的半导体器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，该HVPMOS的源/漏极的重掺杂区的掺杂浓度比该PMOS源/漏极的重掺杂区的掺杂浓度低。

9.根据权利要求6所述的集成HVMOS与CMOS的半导体器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述NMOS和所述PMOS均包括有沟道和沟道下的阱，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，该HVNMOS沟道下的反向掺杂阱与该NMOS沟道下的阱具有相同的掺杂分布。

10.根据权利要求6所述的集成HVMOS与CMOS的半导体器件，其特征在于：所述CMOS包括一NMOS和一PMOS，所述NMOS和所述PMOS均包括有沟道和沟道下的阱，所述HVMOS包括一HVNMOS和一HVPMOS，该HVPMOS沟道下的反向掺杂阱与该PMOS沟道下的阱具有相同的掺杂分布。