[发明专利]基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置和方法有效

专利信息
申请号: 202110365913.3 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN112735995B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 钱诚;李刚;童建 申请(专利权)人: 亚电科技南京有限公司;江苏亚电科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/687;B08B3/02;B08B13/00
代理公司: 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 代理人: 陈平
地址: 210000 江苏省南京市江宁区双龙*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 超声 震动 处理 半导体 清洗 装置 方法
【说明书】:

发明涉及半导体设备技术领域,具体地说,涉及基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置和方法。其包括清洗机,清洗机至少包括:清洁体,清洁体包括清洁箱,清洁箱设置有清洗槽,清洁箱设置有进水管,清洗槽设置有出水管,出水管设置有阀门,清洗槽设置有震动体,清洁箱连接有遮蔽体,遮蔽体包括顶板,顶板设置有扶手;安装体,安装体包括四号连接体,四号连接体设置有二号连接体,二号连接体设置有安装槽,安装槽安装有固定体,固定体包括固定架,固定架设置有间距调节体,间距调节体包括调节杆,调节杆连接有接触板。本发明主要提出一种可有效地清除残留在晶圆上的微尘等杂质的清洗装置及其清洗方法。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域,具体地说,涉及基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置和方法。

背景技术

半导体晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅,硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。

在半导体晶圆制造过程中,要避免尘粒、金属的污染,否则会造成晶片内电路功能的损坏从而导致集成电路的失效,因此在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下,提出一种可有效地清除残留在晶圆上的微尘等杂质的清洗装置及其清洗方法。

发明内容

本发明的目的在于提供基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置和方法,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明目的之一在于,提供了基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置,包括用于清洗晶圆的清洗机,所述清洗机至少包括:

清洁体,所述清洁体包括清洁箱,所述清洁箱内设置有清洗槽,所述清洁箱的表面设置有进水管,所述进水管与所述清洗槽相连通,所述清洗槽的底部设置有出水管,所述出水管设置有阀门,所述清洗槽内设置有震动体,所述清洁箱的顶部连接有遮蔽体,所述遮蔽体包括与所述清洁箱相连接的顶板,所述顶板设置有扶手;

安装体,所述安装体包括位于所述清洗槽内的四号连接体,所述四号连接体内设置有二号连接体,所述二号连接体设置有安装槽,所述安装槽内安装有固定体,所述固定体包括位于所述安装槽内的固定架,所述固定架设置有间距调节体,所述间距调节体包括与所述固定架相连接的调节杆,所述调节杆连接有接触板;

所述震动体包括超声发生器,所述超声发生器顶部设置有多个超声换能器,所述超声换能器顶部连接有震动面钢板;

所述清洗槽的底部设置有固定槽,所述超声发生器的底部设置有固定脚,所述固定脚与所述固定槽插接配合;

所述四号连接体的表面设置有一号连接槽,所述一号连接槽为“T”型结构凹槽,所述清洗槽内相应设置有一号连接体,所述一号连接体为“T”型圆柱体结构凸起,所述一号连接体与所述一号连接槽滑动连接,所述四号连接体的表面开设有握槽。

作为本技术方案的进一步改进,所述一号连接槽为“T”型结构凹槽,所述清洗槽内相应设置有一号连接体,所述一号连接体为“T”型圆柱体结构凸起。

作为本技术方案的进一步改进,所述清洗槽的顶部设置有封闭槽,所述顶板的底部设置有封闭体,所述封闭体与所述顶板的形状相吻合,所述封闭体的表面设置有橡胶垫。

作为本技术方案的进一步改进,所述四号连接体开设有多个贯穿其表面的流通口,所述流通口为圆形穿口。

作为本技术方案的进一步改进,所述固定架设置有贯穿其表面的二号连接槽,所述二号连接槽为内有螺纹的圆形穿口,所述调节杆的表面相应设置有螺纹,所述二号连接槽与所述调节杆相螺纹连接。

作为本技术方案的进一步改进,所述调节杆设置有三号连接体,所述接触板设置有三号连接槽,所述三号连接体与所述三号连接槽转动连接,所述接触板设置有限定杆,所述固定架相应设置有贯穿其表面的限定穿口,所述限定穿口为圆形穿口,所述限定杆与所述限定穿口插接配合。

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