[发明专利]基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置和方法

权利要求书

1.基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：包括用于清洗晶圆的清洗机（100），所述清洗机（100）至少包括：

清洁体（110），所述清洁体（110）包括清洁箱（130），所述清洁箱（130）内设置有清洗槽（131），所述清洁箱（130）的表面设置有进水管（133），所述进水管（133）与所述清洗槽（131）相连通，所述清洗槽（131）的底部设置有出水管（134），所述出水管（134）设置有阀门（135），所述清洗槽（131）内设置有震动体（200），所述清洁箱（130）的顶部连接有遮蔽体（140），所述遮蔽体（140）包括与所述清洁箱（130）相连接的顶板（141），所述顶板（141）设置有扶手（142）；

安装体（120），所述安装体（120）包括位于所述清洗槽（131）内的四号连接体（150），所述四号连接体（150）内设置有二号连接体（151），所述二号连接体（151）设置有安装槽（154），所述安装槽（154）内安装有固定体（160），所述固定体（160）包括位于所述安装槽（154）内的固定架（161），所述固定架（161）设置有间距调节体（170），所述间距调节体（170）包括与所述固定架（161）相连接的调节杆（171），所述调节杆（171）连接有接触板（172）;

所述震动体（200）包括超声发生器（210），所述超声发生器（210）顶部设置有多个超声换能器（220），所述超声换能器（220）顶部连接有震动面钢板（230）；

所述清洗槽（131）的底部设置有固定槽（137），所述超声发生器（210）的底部设置有固定脚（211），所述固定脚（211）与所述固定槽（137）插接配合；

所述四号连接体（150）的表面设置有一号连接槽（153），所述清洗槽（131）内相应设置有一号连接体（136），所述一号连接体（136）与所述一号连接槽（153）滑动连接，所述四号连接体（150）的表面开设有握槽（152）；

所述调节杆（171）设置有三号连接体（173），所述接触板（172）设置有三号连接槽（175），所述三号连接体（173）与所述三号连接槽（175）转动连接，所述接触板（172）设置有限定杆（174），所述固定架（161）相应设置有贯穿其表面的限定穿口（166），所述限定穿口（166）为圆形穿口，所述限定杆（174）与所述限定穿口（166）插接配合。

2.根据权利要求1所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：所述一号连接槽（153）为“T”型结构凹槽，所述一号连接体（136）为“T”型圆柱体结构凸起。

3.根据权利要求1所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：所述清洗槽（131）的顶部设置有封闭槽（132），所述顶板（141）的底部设置有封闭体（143），所述封闭体（143）与所述顶板（141）的形状相吻合，所述封闭体（143）的表面设置有橡胶垫。

4.根据权利要求1所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：所述四号连接体（150）开设有多个贯穿其表面的流通口（155），所述流通口（155）为圆形穿口。

5.根据权利要求1所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：所述固定架（161）设置有贯穿其表面的二号连接槽（165），所述二号连接槽（165）为内有螺纹的圆形穿口，所述调节杆（171）的表面相应设置有螺纹，所述二号连接槽（165）与所述调节杆（171）相螺纹连接。

6.根据权利要求1所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：所述固定架（161）顶部设置有卡板（162），所述卡板（162）设置有贯穿其表面的固定穿口（163），所述固定穿口（163）内设置有固定螺栓（164），所述二号连接体（151）相应设置有锁定槽（156），所述锁定槽（156）为内有螺纹的圆柱结构凹槽，所述锁定槽（156）内螺纹连接有固定螺栓（164）。

7.基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗方法，使用权利要求1-6中任意一项所述的基于超声震动式处理的半导体晶圆的清洗装置，其特征在于：包括如下方法步骤：

（一）、晶圆固定阶段：

S1、转动调节杆（171）使得接触板（172）与晶圆相接触并固定；

S2、将固定有晶圆的固定架（161）安装入安装槽（154）内；

S3、固定螺栓（164）穿过固定穿口（163）并螺纹旋入锁定槽（156）内，将一号连接体（136）插入一号连接槽（153）内；

（二）、晶圆清洗阶段：

S4、盖上顶板（141）；

S5、向清洗槽（131）内注水；

S6、超声发生器（210）带动超声换能器（220）和震动面钢板（230）一起做高频震动产生空腔泡；

S7、空腔泡撞击晶圆表面并带动晶圆表面的污垢脱落。