[发明专利]双端转单端电路

权利要求书

1.一种双端转单端电路，其特征在于，包括：

双转单主模块，包括主输入端和主输出端，用于将从所述主输入端输入的双端的输入信号转变为单端的输出信号从所述主输出端输出；

带宽拓展模块，连接所述双转单主模块，用于拓展所述输出信号的带宽；

其中，所述双转单主模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一负载、第二负载、第三负载、第四负载、第一电流源和第二电流源；所述主输入端包括第一主输入端和第二主输入端；

其中，所述第一主输入端连接所述第一晶体管的控制端，所述第一晶体管的输入端连接所述第三晶体管的输出端，所述第三晶体管的输入端连接所述第四晶体管的控制端和所述第一负载的一端，所述第一负载远离第三晶体管的另一端连接电压源；所述第二主输入端连接所述第二晶体管的控制端，所述第二晶体管的输入端连接所述第四晶体管的输出端，所述第四晶体管的输入端连接所述主输出端和所述第二负载的一端，所述第二负载远离所述第四晶体管的另一端连接电压源；

所述第一晶体管的输出端连接所述第三负载的一端，所述第三负载远离所述第一晶体管的另一端连接所述第一电流源的正极，所述第一电流源的负极接地；所述第二晶体管的输出端连接所述第四负载的一端，所述第四负载远离所述第二晶体管的另一端连接所述第二电流源的正极，所述第二电流源的负极接地；所述第一电流源的正极连接所述第二电流源的正极；

所述带宽拓展模块连接至所述第二晶体管的输入端；

其中，所述控制端为三极管的基极或者MOS管的栅极，所述输入端为三极管的集电极或者MOS管的漏极，所述输出端为三极管的发射极或者MOS管的源极。

2.如权利要求1所述的双端转单端电路，其特征在于，所述带宽拓展模块包括负电容和分支阻抗，所述负电容的两端分别连接所述第二晶体管的控制端和所述第二晶体管的输入端，所述分支阻抗的两端分别连接所述第二晶体管的输入端和接地。

3.如权利要求2所述的双端转单端电路，其特征在于，所述分支阻抗包括分支电容，所述分支电容的两端分别连接所述第二晶体管的输入端和接地。

4.如权利要求2所述的双端转单端电路，其特征在于，所述分支阻抗包括分支电阻，所述分支电阻的两端分别连接至所述第二晶体管的输入端和接地。

5.如权利要求2所述的双端转单端电路，其特征在于，所述分支阻抗包括分支电容和分支电阻，所述分支电阻的第一端连接所述分支电容的第一端和所述第二晶体管的输入端，所述分支电阻的第二端和所述分支电容的第二端分别接地。

6.如权利要求1所述的双端转单端电路，其特征在于，所述带宽拓展模块包括分支电阻，所述分支电阻的两端分别连接至所述第二晶体管的输入端和接地。

7.如权利要求1所述的双端转单端电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管均为三极管。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的双端转单端电路，其特征在于，还包括输入匹配缓冲器模块和均衡器模块，所述输入匹配缓冲器模块连接所述均衡器模块的输入端，所述均衡器模块的输出端连接所述主输入端。

9.如权利要求8所述的双端转单端电路，其特征在于，所述均衡器模块包括：

输入晶体管网络；以及分别连接所述输入晶体管网络的负载阻抗网络和退化RC网络；

所述输入匹配缓冲器模块连接所述输入晶体管网络以连接至所述均衡器模块的输入端，所述负载阻抗网络连接所述输入晶体管网络且连接所述均衡器模块的输出端。