[发明专利]像素暗点化处理方法、阵列基板及其制作方法及显示装置

说明书

本申请涉及显示领域，提供一种像素暗点化处理方法、阵列基板及其制作方法及显示装置，该像素暗点化处理方法，用于对阵列基板上出现亮点不良的子像素单元进行暗点化处理，包括：在子像素单元的薄膜晶体管的第一绝缘层和有源层上形成断口；在有源层靠近断口的位置形成向远离阵列基板的衬底基板的方向弯曲的弯曲部，弯曲部用于在后续进行掺杂工艺时使断口两侧的掺杂粒子彼此隔离。应用本申请，可以在后续进行掺杂工艺时对切口两侧的掺杂粒子进行隔离，以提高暗点化成功率。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，具体地，涉及一种像素暗点化处理方法、阵列基板及其制作方法及显示装置。

背景技术

在制作阵列基板时，形成栅极后，通常会对不良亚像素进行电路维修，其中，对于不可采用常规的维修方式进行维修的常亮亚像素，则采用暗点化工艺进行处理，使常亮亚像素变暗区域正常显示。但是，在实际应用过程中，经常会出现暗点化失败的现象。

发明内容

本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种像素暗点化处理方法、阵列基板及其制作方法及显示装置，可以在后续进行掺杂工艺时对切口两侧的掺杂粒子进行隔离，以提高暗点化成功率。

为实现本申请的目的，第一方面提供一种像素暗点化处理方法，用于对阵列基板上出现亮点不良的子像素单元进行暗点化处理，包括：

在所述子像素单元的薄膜晶体管的第一绝缘层和有源层上形成断口；

在所述有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述阵列基板的衬底基板的方向弯曲的弯曲部，所述弯曲部用于在后续进行掺杂工艺时使所述断口两侧的掺杂粒子彼此隔离。

可选地，所述在所述有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述阵列基板的衬底基板的方向弯曲的弯曲部，进一步包括：

对所述有源层靠近所述断口的部分进行加热，使所述有源层靠近所述断口的部分向靠近所述断口的方向发生热膨胀，形成延伸部；

对所述有源层进行冷却，使所述延伸部向远离所述衬底基板的方向弯曲，形成所述弯曲部。

可选地，采用飞秒激光设备对所述有源层靠近所述断口的部分进行加热。

可选地，所述激光采用紫外线或红外线进行激光照射。

可选地，所述激光的扫描速率的取值范围为8000μm/s-12000μm/s。

可选地，所述对所述有源层进行冷却，进一步包括：

将冷却气体输送至所述有源层的上方，对所述有源层进行冷却指定时长，使所述延伸部向远离所述断口的方向发生收缩。

可选地，所述断口与所述薄膜晶体管的栅极层在平行所述衬底基板的方向上的距离的取值范围为1μm-2μm。

为实现本申请的目的，第二方面提供一种阵列基板的制作方法，包括：应用第一方面所述的像素暗点化处理方法，对阵列基板上出现亮点不良的子像素单元进行暗点化处理。

为实现本申请的目的，第三方面提供一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，至少一个所述薄膜晶体管上设置有用于实现暗点化的断口；且所述薄膜晶体管的有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述衬底基板的方向弯曲的弯曲部，所述弯曲部用于在后续进行掺杂工艺时对所述断口两侧的掺杂粒子进行隔离。

为实现本申请的目的，第四方面提供一种显示装置，包括阵列基板和封装结构，所述阵列基板为如第三方面所述的阵列基板。

本申请具有以下有益效果：