[发明专利]像素暗点化处理方法、阵列基板及其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种像素暗点化处理方法，用于对阵列基板上出现亮点不良的子像素单元进行暗点化处理，其特征在于，包括：

在所述子像素单元的薄膜晶体管的第一绝缘层和有源层上形成断口；

在所述有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述阵列基板的衬底基板的方向弯曲的弯曲部，所述弯曲部用于在后续进行掺杂工艺时使所述断口两侧的掺杂粒子彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述阵列基板的衬底基板的方向弯曲的弯曲部，进一步包括：

对所述有源层靠近所述断口的部分进行加热，使所述有源层靠近所述断口的部分向靠近所述断口的方向发生热膨胀，形成延伸部；

对所述有源层进行冷却，使所述延伸部向远离所述衬底基板的方向弯曲，形成所述弯曲部。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用飞秒激光设备对所述有源层靠近所述断口的部分进行加热。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光采用紫外线或红外线进行激光照射。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光的扫描速率的取值范围为8000μm/s-12000μm/s。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层进行冷却，进一步包括：

将冷却气体输送至所述有源层的上方，对所述有源层进行冷却指定时长，使所述延伸部向远离所述断口的方向发生收缩。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述断口与所述薄膜晶体管的栅极层在平行所述衬底基板的方向上的距离的取值范围为1μm-2μm。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：应用权利要求1-7任一项所述的像素暗点化处理方法，对阵列基板上出现亮点不良的子像素单元进行暗点化处理。

9.一种阵列基板，包括衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，其特征在于，至少一个所述薄膜晶体管上设置有用于实现暗点化的断口；且所述薄膜晶体管的有源层靠近所述断口的位置形成向远离所述衬底基板的方向弯曲的弯曲部，所述弯曲部用于在后续进行掺杂工艺时对所述断口两侧的掺杂粒子进行隔离。

10.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板和封装结构，所述阵列基板为如权利要求9所述的阵列基板。