[实用新型]一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备，特别是涉及一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置。

背景技术

在半导体工业中，硅晶圆需要进行退火，如在大规模的金属沉积之后，需要通过退火工艺流程使得晶圆中原子颗粒长大，从而使得晶格更加稳定，同时可以释放金属中存在的应力作用，有利于后续的可靠性测试。

现有的一种退火腔室，其包括一加热室及一冷却室，加热室用于对晶圆升温，冷却室用于对晶圆降温，每个制程室包括有载片台101和腔室壁102，并通过一传送装置103进行晶圆在加热室和冷却室之间的位置转换，所述载片台中具有用于收容所述传送装置103的收容槽，如图1所示。在冷热转换过程中，通过传送装置将晶圆抬起，然后平动至另一个制程室并降下，从而实现晶圆在加热室和冷却室之间的位置转换。然而，在所述传送装置平动的过程中，由于机械传动部分的不顺畅移动，晶圆可能发生偏移，从而使晶圆被放入载片台时出现位置的偏移，这时，晶圆表面在后来送出制程室时，会容易被机械手刮伤，甚至容易造成裂片；而且，如果晶圆位置出现偏移，在传送装置抬起或移动过程中会出现掉片现象，使整个机台停机。同时，晶圆位置的偏移使其暴露于酸性环境中，导致晶圆被腐蚀而造成损失。

因此，提供一种有效避免晶圆位置偏移，降低晶圆被刮伤及碎片几率的，并适用于现有的退火腔室的晶圆定位装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，用于解决现有技术中由于晶圆位置的偏移而造成晶圆容易被刮伤、碎片或被酸性腐蚀等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，所述半导体退火腔室包括载片台、环绕于该载片台的腔室壁以及传送装置，所述载片台具有传送装置的收容槽，所述腔室壁具有多个定位槽，所述晶圆定位装置至少包括：

气缸，固定于所述定位槽内，并连接有充气装置；

活塞，连接于所述气缸内；

活塞杆，连接于所述活塞，并延伸至所述腔室壁外部；

两定位板，呈第一夹角固定于所述活塞杆的端部；

两支撑板，呈第二夹角套设于所述活塞杆上，且与所述定位板具有预设间距，所述支撑板中具有多个朝向所述定位板的卡槽；

多个定位销，各该定位销连接有弹簧，且各该定位销卡接于各该卡槽内并将各该弹簧压缩于各该卡槽内。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，每个半导体退火腔室具有3个晶圆定位装置，各该晶圆定位装置呈120度夹角固定于所述腔室壁上。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，每个半导体退火腔室具有4个晶圆定位装置，各该晶圆定位装置呈90度夹角固定于所述腔室壁上。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，所述定位板为耐火弹性板。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，所述支撑板为耐火刚性板。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，所述卡槽内还具有按压开关，所述定位销被按压后通过所述弹簧将其弹出。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，所述支撑板与所述定位板平行。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，所述第一夹角与所述第二夹角均为90度～180度。

作为本实用新型的于半导体退火腔室的晶圆定位装置的一种优选方案，每个支撑板上均匀分布有2～12个定位销。

如上所述，本实用新型提供一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，所述半导体退火腔室包括载片台、环绕于该载片台的腔室壁以及传送装置，所述载片台具有传送装置的收容槽，所述腔室壁具有多个定位槽，所述晶圆定位装置至少包括：气缸，固定于所述定位槽内，并连接有充气装置；活塞，连接于所述气缸内；活塞杆，连接于所述活塞，并延伸至所述腔室壁外部；两定位板，呈第一夹角固定于所述活塞杆的端部；两支撑板，呈第二夹角套设于所述活塞杆上，且与所述定位板具有预设间距，所述支撑板中具有多个朝向所述定位板的卡槽；多个定位销，各该定位销连接有弹簧，且各该定位销卡接于各该卡槽内并将各该弹簧压缩于各该卡槽内。本实用新型在退火腔室中加入了晶圆定位装置，可以有效避免晶圆位置的偏移，在晶圆位置偏移时可以有效对其进行调整，降低晶圆被刮伤及碎片的几率，提高生产的良率。

附图说明

图1显示为现有技术中的半导体退火腔室的结构示意图。