[实用新型]一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置有效
| 申请号： | 201320021256.1 | 申请日： | 2013-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN203179854U | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 退火 定位 装置 | ||
1.一种用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，所述半导体退火腔室包括载片台、环绕于该载片台的腔室壁以及传送装置，所述载片台具有传送装置的收容槽，其特征在于：所述腔室壁具有多个定位槽，所述晶圆定位装置至少包括：
气缸，固定于所述定位槽内，并连接有充气装置；
活塞，连接于所述气缸内；
活塞杆，连接于所述活塞，并延伸至所述腔室壁外部；
两定位板，呈第一夹角固定于所述活塞杆的端部；
两支撑板，呈第二夹角套设于所述活塞杆上，且与所述定位板具有预设间距，所述支撑板中具有多个朝向所述定位板的卡槽；
多个定位销，各该定位销连接有弹簧，且各该定位销卡接于各该卡槽内并将各该弹簧压缩于各该卡槽内。
2.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：每个半导体退火腔室具有3个晶圆定位装置，各该晶圆定位装置呈120度夹角固定于所述腔室壁上。
3.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：每个半导体退火腔室具有4个晶圆定位装置，各该晶圆定位装置呈90度夹角固定于所述腔室壁上。
4.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：所述定位板为耐火弹性板。
5.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：所述支撑板为耐火刚性板。
6.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：所述卡槽内还具有按压开关，所述定位销被按压后通过所述弹簧将其弹出。
7.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：所述支撑板与所述定位板平行。
8.根据权利要求7所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：所述第一夹角与所述第二夹角均为90度～180度。
9.根据权利要求1所述的用于半导体退火腔室的晶圆定位装置，其特征在于：每个支撑板上均匀分布有2～12个定位销。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
