[发明专利]基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及基于图案重复使用的寄生提取的图案匹配。

背景技术

在诸如节点20或节点14的先进半导体技术中，RC寄生已经成为主要的影响因素。在不太先进的技术节点中，可以利用诸如器件的预表征(pre-characterization)和2.5D提取的近似方法来解决RC寄生的影响而不太损失精度。精确的RC寄生建模对于器件建模、提取和时序分析来说是必要的。可利用诸如纯3D提取的更精确的方法，但是对大规模设计的提取工具产生固有的性能限制。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种利用图案匹配的RC提取的方法，包括：通过布局对原理图(LVS)工具验证原理图与布局的一致性；通过图案匹配工具分析布局以将布局划分为多个图案，各个图案都包括包含部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境；以及确定多个图案中的第一相应图案不具有存储在被图案匹配工具参考的图案数据库中的对应第一参考图案；以及对第一相应图案执行提取以获得相关联的第一提取参数。

优选地，该方法还包括：在图案数据库中分别将第一相应图案和相关联的第一提取参数存储为第一参考图案和第一参考提取参数来用于重复使用。

优选地，该方法还包括确定多个图案中的第二相应图案具有存储在图案数据库中的对应第二参考图案和相关联的第二参考提取参数；以及对第二相应图案应用第二参考提取参数。

优选地，没有预表征多个图案中的图案，使得所有图案都被分配提取参数。

优选地，确定多个图案中的相应图案是否具有存储在图案数据库中的对应参考图案还包括旋转和翻转相应图案。

优选地，第一提取参数和第二提取参数包括相应图案的边界框内的三维电容。

优选地，该方法还包括：识别第一相应图案的一个或多个第一缝合节点；识别第二相应图案的一个或多个第二缝合节点，将第一缝合脚插入到每个对应的第一缝合节点；以及将第二缝合脚插入到每个对应的第二缝合节点。

优选地，该方法还包括：在缝合脚插入之后，确定布局的子集内剩余的提取参数不包括第一相应图案或第二相应图案。

优选地，剩余的提取参数包括：第一相应图案的第一边界框与包括布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；第二相应图案的第二边界框与包括布局的子集的周围形状之间的2.5维电容参数；以及用于布局的电阻参数。

优选地，该方法还包括：为来自包括第一缝合节点和第二缝合节点的缝合节点集合的每个对应的缝合节点限定对应的缝合脚。

优选地，第一提取参数、第二提取参数以及剩余的提取参数还分别包括第一相应图案的第一提取网表、第二相应图案的第二提取网表以及布局的子集的第三提取网表。

优选地，该方法还包括：通过在第一缝合节点、第二缝合节点以及布局的子集的所有交互组合之间形成连接，将第一提取网表、第二提取网表以及第三提取网表结合为布局的组合网表和相关联的原理图。

根据本发明的另一方面，提供了一种限定布局的图案的方法，包括：限定包括具有器件、器件子集和多边形的多边形集合的一个或多个主要形状的集合；为所述一个或多个主要形状的集合限定包括限定主要形状与其交互的布局的设计等级的子集的背景；限定包括关于一个或多个主要形状的厚度和背景的信息的形状参考文件；以及限定关于一个或多个主要形状的集合在限定图案的边界的背景内的位置。

优选地，限定背景还包括结合在预定阈值之上影响图案的电容参数的主要形状。

优选地，结合在预定阈值之上影响图案的电容参数的主要形状还包括：通过结合设计规则限定具有背景的主要形状的耦合电容的范围；以及包括用于两个主要形状之间的背景形状的三维电容屏蔽效果。

优选地，该方法还包括：减少行程长度小于预定阈值的耦合电容范围内的形状。

根据本发明的又一方面，提供了一种图案和提取存储系统，包括：寄生提取工具，包括被配置为将设计划分为多个图案的图案匹配工具，其中各个图案都包括具有部分器件、器件或多个器件的一个或多个形状以及它们周围的环境；以及图案数据库，被图案匹配工具参考，并且被配置为存储作为参考图案的相应图案和相关联的提取参数。

优选地，图案数据库被配置为如果在第二设计中观察到相同图案则检索参考图案，并且应用相同图案的提取参数而不对相同图案进行任何寄生提取。

优选地，图案和提取存储系统还包括连接图案数据库的第一应用编程接口(API)，第一API利用来自寄生提取工具的给定查询为多个设计检索节点和电容参数。