[发明专利]陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法。

背景技术

在功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管)模块封装过程中，陶瓷衬板的绝缘性能对IGBT模块的稳定可靠运行起着很关键的作用，因此，获得陶瓷衬板的绝缘性能数据至关重要。

目前，国内外的功率IGBT模块的绝缘性能通常是通过对功率IGBT模块进行局部放电测试来获得的绝缘性能数据作为陶瓷衬板的绝缘性能数据，但是，这种测试方式中，测试电压并非直接加载陶瓷衬板上，因此，对功率IGBT模块的局部放电测试得到的绝缘性能数据并不能准确反映陶瓷衬板的绝缘性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法，以得到准确的陶瓷衬板的绝缘性能参数，技术方案如下：

本发明提供一种陶瓷衬板局部放电测试装置，包括：非金属外壳、绝缘胶、陶瓷衬板及引出电极，其中，

所述陶瓷衬板设置在所述非金属外壳形成的内腔中，且所述陶瓷衬板两面覆盖有金属层；

所述绝缘胶灌注在所述非金属外壳形成的内腔；

所述引出电极与所述金属层电连接，并延长至所述非金属外壳外，用于向所述陶瓷衬板加载电压信号。

优选的，还包括：设置在所述非金属外壳内壁上、用于支撑所述陶瓷衬板的支撑体。

优选的，所述金属层的材质为铜或铝。

优选的，所述引出电极的材质为铜或铝。

优选的，引出电极通过焊接或超声键合的方式连接在所述金属层上。

优选的，所述引出电极包括第一引出电极和第二引出电极，其中，所述第一引出电极与所述陶瓷衬板一面的金属层电连接，所述第二引出电极与所述陶瓷衬板另一面的金属层电连接。

本发明还提供一种陶瓷衬板局部放电测试方法，包括：

将所述陶瓷衬板密封在非金属外壳形成的内腔中，且所述陶瓷衬板的两面覆盖有金属层，且所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外壳；

在所述非金属外壳形成的内腔中灌注绝缘胶；

向所述引出电极通电。

由以上本申请实施例提供的技术方案可见，所述陶瓷衬板的局部放电测试装置及方法中，将陶瓷衬板密封在非金属外壳中，并在所述非金属外壳内灌注绝缘胶，使所述陶瓷衬板与周围环境保持绝缘，所述陶瓷衬板的两面均覆盖有金属层，所述金属层通过引出电极延伸出所述非金属外壳，通过引出电极向所述陶瓷衬板加载电压，对陶瓷衬板进行局部放电测试，由于该装置能够将测试电压直接加载到所述陶瓷衬板上，能够得到陶瓷衬板的准确绝缘性能数据、而且，利用该装置能够在功率IGBT模块封装前，对陶瓷衬板进行局部放电测试，从而确保了陶瓷衬板的绝缘质量，进而提高了功率IGBT模块的绝缘质量。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例一种陶瓷衬板的局部放电测试装置的结构示意图；

图2为本申请实施例另一种陶瓷衬板的局部放电测试装置的结构示意图；

图3为本申请实施例陶瓷衬板局部放电测试装置及测试电路的结构示意图；

图4为本申请实施例提供的一种陶瓷衬板的局部放电测试方法的流程示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

请参见图1，示出了本申请实施例一种陶瓷衬板的局部放电测试装置的结构示意图，该装置包括：陶瓷衬板100、非金属外壳200、绝缘胶300、引出电极400。

所述陶瓷衬板100设置在非金属外壳200形成的内腔中，绝缘胶300灌注到所述非金属外壳200形成的内腔中，所述绝缘胶300充满所述非金属外壳200的内腔中，所述绝缘胶300的作用在于，确保陶瓷衬板100与周围环境保持绝缘。