[发明专利]具有栅极叠层的器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

栅极叠层，位于第一漏极和源极之间，所述栅极叠层具有：

栅极介电层；

栅极导电层，直接位于所述栅极介电层的顶部上；以及

第一栅极层和第二栅极层，直接位于所述栅极导电层的顶部上，

其中，所述第一栅极层具有第一电阻，所述第一电阻高于所述第二栅极层的第二电阻；并且

所述第二栅极层是导电的，与所述栅极导电层电连接，并且具有接触端，所述接触端被配置为作为所述器件的栅极接触端。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一漏极包括漏极自对准多晶硅化物部分和漏极非自对准多晶硅化物部分；并且，所述源极包括源极自对准多晶硅化物部分和源极非自对准多晶硅化物部分。

3.根据权利要求2所述的器件，进一步包括：

第一隔离件，位于所述栅极叠层的第一侧上；

第二隔离件，位于所述栅极叠层的第二侧上；以及

保护层，覆盖所述第一隔离件和所述漏极非自对准多晶硅化物部分；其中，所述保护层进一步覆盖所述栅极叠层的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

第二栅极叠层；以及

第二漏极，

其中，所述第二漏极位于所述栅极叠层和所述第二栅极叠层之间；

并且，所述第二栅极叠层位于所述第二漏极和所述第一漏极之间；

其中，所述第二栅极叠层包括：

第二栅极介电层；

第二栅极导电层，直接位于所述第二介电层的顶部上；以及

第三介电层，直接位于所述第二栅极导电层的顶部上；

所述第一漏极包括漏极自对准多晶硅化物部分和漏极非自对准多晶硅化物部分；

所述源极包括源极自对准多晶硅化物部分和源极非自对准多晶硅化物部分；并且，

所述第二漏极不是自对准多晶硅化物。

5.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

第一浅沟槽隔离件；

第二浅沟槽隔离件；以及

第三浅沟槽隔离件，

其中，所述源极和所述栅极叠层位于所述第二浅沟槽隔离件和所述第三浅沟槽隔离件之间；

所述第二浅沟槽隔离件位于所述栅极叠层和所述第一漏极之间；并且，

所述第一漏极位于所述第二浅沟槽隔离件和所述第一浅沟槽隔离件之间；

其中，所述第一漏极包括自对准多晶硅化物层和非自对准多晶硅化物层；并且，所述第一漏极的所述自对准多晶硅化物层完全覆盖了所述第一漏极的所述非自对准多晶硅化物层。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一漏极电连接至集成电路的IO；所述第一漏极、所述源极、和体硅连接在一起，并且被配置为接收参考电压，并且，所述栅极叠层被配置为接收工作电压。

7.一种方法，包括：

使用结构，所述结构包括漏极区域、源极区域、以及栅极叠层，所述栅极叠层包括栅极介电层、栅极导电层、以及栅极层，所述栅极导电层直接位于所述栅极介电层的顶部上，所述栅极层直接位于所述栅极导电层的顶部上；

在所述漏极上形成漏极接触区域，并且在所述源极上形成源极接触区域；

在所述漏极和所述源极的顶部上形成层间电介质，从而在所述漏极接触区域的顶部上和所述源极接触区域的顶部上形成了层间电介质；

在所述栅极层中形成导电区域；以及

在所述栅极层中的所述导电区域中形成栅极接触端。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在所述漏极上形成所述漏极接触区域以及在所述源极上形成所述源极接触区域之前，在所述栅极层的顶部上形成硬掩模；

并且，该方法进一步包括：在形成所述漏极接触区域和所述源极接触区域之前，沉积保护层，所述保护层保护了所述漏极区域的第二部分，所述漏极区域的第二部分不同于所述漏极接触区域。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述栅极层中形成所述导电区域包括：

从所述栅极层的部分中移除多晶硅；以及

将所述栅极层的移除了多晶硅的所述部分转化为所述导电区域。

10.一种栅极叠层，包括：

栅极介电层；

第一栅极金属层，直接位于所述栅极介电层的顶部上；以及

多晶硅栅极层和第二栅极金属层，直接位于所述第一栅极金属层的顶部上；所述第二栅极金属层包括接触端。