[发明专利]一种三相整流桥堆

说明书

技术领域

本发明涉及对三相整流桥堆结构的改进。

背景技术

现有大功率三相桥一般采用灌封的方式利用人工操作进行单个生产，封装操作时，将焊接好的半成品放入一个成品外形的外壳内再将液体环氧灌入即利用环氧外壳将环氧和半成品包裹起来形成成品，灌封环氧为两种不同的液态环氧A，B料，需加热按比例混合。采用这种方法封装的桥堆主要有以下的不足：

（1）工艺落后：通过人工配料在加温固化，产品的气密性及均匀性欠佳；

（2）质量控制难：传统工艺采用人工配料，人工灌胶等多个人为控制工序，产品质量与员工的工作经验、技能水平、熟练程度有密切的关系，质量随员工的不同而波动，对质量管控增加难度；

（3）生产成本高：由于灌胶的产品是将烧结好的半成品有放入胶壳内进行灌封，胶及胶壳的成本占产品成本的30%~40%，材料成本较高。

此外，如图5、6所示，现有技术的产品的本体60结构为块状，在一些安装空间窄小的区域内难以进行安装。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种生产方便、成本低廉，且整体呈片状的三相整流桥堆。

本发明的技术方案是：包括二极管芯片一~六、具有引脚的框架一~五、封装体和六只跳线，所述具有引脚的框架一~五为片状、且布设在同一平面上；所述框架一~五上的引脚与所述框架本体处于同一平面上。

    所述框架一为正极框架，所述框架二为交流A相框架，所述框架三为交流B相框架，所述框架四为交流C相框架，所述框架五为负极框架；所述芯片一、二和三设置在所述框架一上，所述芯片四设置在所述框架二上，所述芯片五设置在所述框架三上，所述芯片六设置在所述框架四上；所述芯片一通过跳线与所述框架二相连，所述芯片二通过跳线与所述框架三相连，所述芯片三通过跳线与所述框架四相连，所述芯片四、五、六分别通过跳线与所述框架五相连；构成三相整流电路。

本发明采用一次冲切的框架片、跳线与芯片焊接相连，将焊接好的半成品放在成型模具内采用塑封一次性的环氧塑封料压塑成型，工艺先进，操作简单极大地提高了劳动生产效率和产品质量。采用塑封一体成型，稳定性和绝缘性效果更佳，散热面积大，散热均匀，散热效果更好，机械强度高。此外，成品呈片状，能适合安装空间窄小的使用环境。

附图说明

图1是本发明外部结构示意图，

图2是图1的左视图，

图3是本发明内部结构示意图，

图4是本发明的线路原理图，

图5是本发明背景技术外部结构示意图，

图6是图5的左视图；

图中1是框架一，2是框架二，3是框架三，4是框架四，5是框架五，6是封装体，71是芯片一，72是芯片二，73是芯片三，74是芯片四，75是芯片五，76是芯片六，8是跳线。

具体实施方式

本发明如图1-3所示，包括二极管芯片一~六（71~76）、具有引脚的框架一~五（1~5）、封装体6和六只跳线8，所述具有引脚的框架一~五为片状、且布设在同一平面上；所述框架一~五上的引脚与所述框架本体处于同一平面上。

    所述框架一1为正极框架，所述框架二2为交流A相框架，所述框架三3为交流B相框架，所述框架四4为交流C相框架，所述框架五5为负极框架；所述芯片一71、二72和三73设置在所述框架一1上，所述芯片四74设置在所述框架二2上，所述芯片五75设置在所述框架三3上，所述芯片六76设置在所述框架四4上；所述芯片一71通过跳线8与所述框架二2相连，所述芯片二72通过跳线8与所述框架三3相连，所述芯片三73通过跳线8与所述框架四4相连，所述芯片四4、五5、六6分别通过跳线8与所述框架五5相连；构成三相整流电路（如图4所示）。

本发明的产品特点如下：

（1）引线一排边设计提高产品面积，增加了散热面，提高产品的可靠性；

（2）本发明能够承受3000V的绝缘电压，比传统工艺提高20%；

（3）本发明采用塑封方式，比传统工艺节约了灌封外壳，整个成本上节约30~40%。