[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请要求2010年11月16日提交的韩国专利申请No.10-2010-0114036的优先权，其主题通过引用合并在此。 

技术领域

本发明涉及一种发光器件。 

背景技术

发光器件可以包括例如，发光二极管(LED)，发光二极管包括将电能转换为光的半导体器件。 

发光二极管是一种使用化合物半导体的特性将电转换为红外光、可见光等等的器件。 

发光二极管可以应用于诸如家用电器、遥控器、电子信号板、显示器、各种自动用具等等的装置。 

小型化的发光二极管可以被制造为表面安装器件使得发光二极管可以被直接设置在印制电路板(PCB)上。因此，用作显示装置的LED灯可以被发展为表面安装器件型。为了呈现各种颜色，这种表面安装器件可以替代灯并且可以被用作照明显示器、字符显示器、图像显示器等等。 

附图说明

可以参考附图详细地描述布置和实施例，在附图中相同的附图标记指代相同的元件并且其中： 

图1是根据实施例的发光器件的横截面图； 

图2和图3示出图1中所示的发光器件的有源层的结构； 

图4是示出发光器件的可靠性测试结果的曲线图； 

图5是根据实施例的发光器件封装的横截面图； 

图6示出包括根据实施例的发光器件的照明装置； 

图7是沿着图6的线A-A’截取的横截面图； 

图8示出包括根据实施例的发光器件的液晶显示装置；以及 

图9是包括根据实施例的发光器件的液晶显示装置的透视图；以及 

图10是显示发光器件的光输出的图表。 

具体实施方式

现在可以详细地参考示例性实施例，可以在附图中示出示例性实施例的示例。在附图中可以使用相同的附图标记来指代相同的或者相似的部分。 

可以理解的是，当诸如层(膜)、区域、焊盘和/或图案的器件被称为是在另一器件“上”或者“下”时，它可以直接地或者间接地在另一器件上面或者下面。此外，可以基于附图中的图示来描述各层的“上”或者“下”的定位。 

在附图中，为了方便和清晰，各层的厚度或者尺寸可以被夸大、省略并且/或者被示意性地示出。因此，附图中所示的各个器件的尺寸不必表示其实际尺寸。 

在描述发光器件阵列结构的过程中涉及的角度和方向可以参考附图来描述。在发光器件阵列结构的描述中，如果未清楚地指明关于角度和位置关系的参考点，则可以依据相关的附图。 

图1是根据实施例的发光器件的横截面图。也可以提供其它的实施例和构造。 

图1示出发光器件100，该发光器件100可以包括衬底110和布置在衬底110上的发光结构120。发光结构120可以具有第一半导体层122、第二半导体层124以及第一半导体层122和第二半导体层124之间的有源层126。 

发光器件100可以包括使用III至V族元素构成的化合物半导体层的发光二极管(LED)。LED可以是发射蓝、绿或者红光的彩色LED，或者可以是紫外(UV)LED。可以使用在如描述的技术范围内的各种半导体来体现LED的发射的光。 

例如，可以使用包括蓝宝石(Al₂O₃)的半透明材料形成衬底110。除了蓝宝石之外，衬底110可以包括氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)等等。 

衬底110的折射率可以小于第一半导体层122的折射率，这可以提高光提取效率。 

衬底110可以具有图案化衬底(PSS)结构以增加光提取效率。衬底110可以有也可以没有PSS结构。 

衬底110可以具有缓冲层112以便于减少衬底110和发光结构120之间的晶格失配，并且有助于半导体层的生长。 

可以在低温环境下形成缓冲层112。可以使用能够减少衬底110和发光结构120之间的晶格常数差异的具体材料来形成缓冲层112。这些具体材料可以包括从GaN、InN、AlN、AlInN、InGaN、AlGaN、InAlGaN等等中选择的至少一个，对此没有特别限制。 

缓冲层112可以生长在衬底110上的单晶中。单晶生长的缓冲层112可以提高生长在缓冲层112上的发光结构120的结晶度。 

发光结构120可以包括第一半导体层122、第二半导体层124以及第一半导体层122和第二半导体层124之间的有源层126。