[发明专利]发光器件

权利要求书

1.发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层以及所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，

其中所述有源层包括：

发光层，所述发光层与第二半导体层相邻并且包括阱层和势垒层；和

所述发光层和所述第一半导体层之间的超晶格层，所述超晶格层包括至少六对第一层和第二层，其中所述第一层的成分包括铟(In)以及所述第二层包括铟(In)，并且所述第一层的成分不同于所述第二层的成分。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述超晶格层的厚度是所述发光层厚度的8至10倍。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述超晶格层的厚度是所述势垒层厚度的12至14倍。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的In含量大于所述第一层的In含量。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二层的In含量是所述第一层的In含量的3至5倍。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的厚度是所述势垒层厚度的4至5倍。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的厚度是所述阱层层和所述阻挡中的至少一个的厚度的2至4倍。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述阱层包含In，并且所述第一和第二层的In含量小于所述阱层的In含量。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述势垒层包含In，并且所述第二层的In含量大于所述阱层的In含量。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一层的能隙大于所述第二层的能隙。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中第一对所述第一层和所述第二层中的第一层的厚度大于第二对所述第一层和所述第二层中的第一层的厚度，其中所述第一对处于所述第一半导体层和所述第二层之间。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一对所述第一层和所述第二层中的所述第一层的厚度是所述第二对所述第一层和所述第二层中的所述第一层的厚度的1.5至2.0倍。

13.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括第三半导体层，所述第三半导体层设置在所述第二半导体层上，其中所述第三半导体层具有与所述第二半导体层相反的极性。

14.一种发光器件封装，包括：

权利要求1所述的发光器件；和

主体，所述主体包括第一引线框和与所述第一引线框隔开的第二引线框；并且所述发光器件设置在所述第一引线框上，并且其中树脂材料填充至少一个腔体，所述至少一个腔体形成在电连接到所述发光器件的所述第一引线框和所述第二引线框上。

15.一种照明系统，包括：

多个发光器件封装，所述发光器件封装的每一个均包括权利要求1所述的发光器件；和

印制电路板，在所述印制电路板上安装有所述多个发光器件封装。