[发明专利]适用于相变存储器的相变材料及相变存储器在审
| 申请号： | 202110363018.8 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113140674A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 马平;李响;陈鑫 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种适用于相变存储器的相变材料及相变存储器，相变材料包括：相变层和超晶格夹层；相变层与超晶格夹层形成超晶格结构，相变层包括锑原子Sb；与一般含有锑原子的相变材料相比较，本申请实施例提供的超晶格具有较大的黏度，较好的应用可靠性及较长的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 相变 存储器 材料 | ||
【主权项】：
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