[发明专利]适用于相变存储器的相变材料及相变存储器

权利要求书

1.一种适用于相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料包括：相变层和超晶格夹层；所述相变层与所述超晶格夹层形成超晶格结构，所述相变层包括锑原子Sb；在所述相变层在晶体状态及非晶体状态之间转换时，所述超晶格夹层处于晶体状态。

2.根据权利要求1所述的相变材料，其特征在于，所述超晶格夹层与相变层交替排布，所述超晶格夹层与所述相变层存之间形成多个交界面，在所述相变层转化为晶体状态时，在所述交界面的位置所述超晶格夹层为所述相变层提供核点。

3.根据权利要求1或2所述的相变材料，其特征在于，第一晶格常数与第二晶格参数的差值小于或等于晶格参数阈值，所述第一晶格常数为所述超晶格夹层的晶格常数，所述第二晶格常数为相变层的晶格常数。

4.根据权利要求1或2所述的相变材料，其特征在于，第一原子半径与第二原子半径的差值小于或等于原子半径阈值，所述第一原子半径为所述超晶格夹层包含原子的原子半径，所述第二原子半径为相变层包含原子的原子半径。

5.根据权利要求1-4任一项所述的相变材料，其特征在于，所述超晶格夹层不具有相变性能，所述超晶格夹层的熔点大于所述相变层的熔点。

6.根据权利要求1-4任一项所述的相变材料，其特征在于，所述超晶格夹层具有相变性能，所述超晶格夹层的相变温度大于所述相变层的相变温度，所述超晶格夹层的相变温度大于所述相变层的熔点。

7.根据权利要求1-6任一项所述的相变材料，其特征在于，所述相变层还包括碲原子Te，所述超晶格夹层包括碲原子Te。

8.根据权利要求1-6任一项所述的相变材料，其特征在于，所述相变层还包括碲原子Te，所述超晶格夹层包括碲原子Te及钪原子Sc。

9.根据权利要求1-7任一项所述的相变材料，其特征在于，所述相变层的厚度大于等于1nm，小于等于10nm。

10.一种相变存储器，包括多个相变存储单元，每个相变存储单元包括权利要求1-9任一项所述的相变材料、第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第二电极通过所述相变材料连接。