[发明专利]降本增效的硅片边缘抛光工艺有效
| 申请号： | 202110361875.4 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113084598B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 王鸣 | 申请（专利权）人： | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B21/00 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，所属硅片制造技术领域，包括将硅片通过机械手取片，先对背面进行端面位抛光，完成抛光后进行喷淋清洗。接着对将硅片进行翻面，对正面进行端面位抛光，并进行喷淋清洗。外周边抛光过程从背面侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片外周边抛光过程后进行喷淋清洗。硅片两端通过单方向循环运行的精抛带，此时转轴带动磁盘固定的硅片进行旋转。将完成抛光工艺的硅片通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 增效 硅片 边缘 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
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