[发明专利]降本增效的硅片边缘抛光工艺

权利要求书

1.一种降本增效的硅片边缘抛光工艺，其特征在于：包括如下操作步骤：

第一步：将硅片（1）通过机械手取片，送入至端面磨进行定位，先对背面（2）进行端面位抛光，背面（2）完成抛光后进行喷淋清洗；

第二步：对将硅片（1）进行翻面，对正面（3）进行端面位抛光，正面（3）完成抛光后进行喷淋清洗；

第三步：完成硅片（1）两端面的抛光后，进行外周边抛光过程，此时背面（2）在上，正面（3）在下，从背面（2）侧边的A2段开始进刀，经过BC段，再加工正面（3）侧边的A1段，接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀，完成硅片（1）外周边抛光过程后进行喷淋清洗；精抛带（4）通过精抛环形槽（7）与硅片（1）的外周边贴合式插接，采用精抛环形槽（7）和同步喷淋实现精抛带（4）对硅片（1）的水带磨过程；

A2段的加工时间为8秒，BC段和A1段的加工时间均为16秒，硅片（1）在研削台行进速率设定为0.63mm/s，研削台行进幅度为15mm；

抛光过程的抛光液采用原液和去离子水进行混合配比而成，配比为1:8～1:30；原液为不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，原液可选用氧化硅抛光液或氧化铈抛光液；

第四步：硅片（1）两端通过单方向循环运行的精抛带（4），此时转轴（6）带动磁盘（5）固定的硅片（1）进行旋转，同时在精抛过程中对硅片（1）进行喷淋；

第五步：将完成抛光工艺的硅片（1）通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。