[发明专利]一种改善蚀刻均匀性的曝光方法有效
| 申请号： | 202010147136.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111273520B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 洪文庆 | 申请（专利权）人： | 浙江晶引电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人： | 徐永雷 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都区南明山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，涉及到蚀刻曝光方法技术领域，a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程，具有均匀性更佳的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 蚀刻 均匀 曝光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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