[发明专利]一种改善蚀刻均匀性的曝光方法

说明书

本发明公开了一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，涉及到蚀刻曝光方法技术领域，a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程，具有均匀性更佳的特点。

技术领域

本发明涉及蚀刻曝光方法技术领域，特别涉及一种改善蚀刻均匀性的曝光方法。

背景技术

蚀刻机主要应用于航空、机械、标牌工业中，蚀刻机技术广泛地被使用于减轻重量仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等之加工。在半导体和线路版制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。也可对各种金属如：铁、铜、铝、钛金、不锈钢、锌版、等金属和金属制品的表面蚀刻图纹、花纹、几何形状，并能精确镂空。也可专业针对各种型号的国产和进口不锈钢进行蚀刻和薄板切割，如今广泛应用于金卡标牌加工、手机按键加工、不锈钢滤网加工、不锈钢电梯装饰板加工、金属引线框加工、金属眼镜脚丝加工、线路板加工、装饰性金属板加工等工业用途。

由于干式蚀刻机在腔体边缘与腔体中心蚀刻速率有所差异，导致蚀刻后芯片中心与外圈剖面结构差异较大，所以现在需要一种改善蚀刻均匀性的曝光方法来帮助解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，以解决上述背景技术中提出的蚀刻后芯片中心与外圈剖面结构差异较大的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善蚀刻均匀性的曝光方法，所述曝光方法包括以下步骤：

a、设备调试：准备曝光机，进行曝光前，需针对使用的曝光机以test模式各别做出不同曝光能量时间及各别焦距的矩阵图形，用以确认此曝光机单次曝光时，适用的能量时间及可用之焦距景深范围找出其适用曝光能量与中心焦距；

b、进行曝光：确认适用曝光能量及中心焦距后可开始进行曝光；

c、设定曝光区域：设定4寸芯片半径为50um，在设定的曝光条件下，划为3块区域，第一区域为中心至半径25um处；第二区域为半径25um处至半径40um处；第三区域为半径40um处至半径50um处；

d、显影制程：完成曝光后，将完成曝光Sapphire wafer退出进行后续显影制程；

e、尺寸对比：完成显影制程后使用CD-SEM量测即可得所需尺寸大小与差异化PATTERN图形分布；

f、图形观察：使用CD-SEM观察变焦曝光显影后pattern profile，以治工具将曝光区域中心小面积位置表面光阻轻轻刮开推倒光阻后，观察光阻图形状况；

g、对比：将新制程所生产的光阻片进行蚀刻制程，并经AOI量测与蚀刻制程后的原制程所生产的光阻片比较差异。

优选的，所述曝光机景深共有1um的可用范围，以0.5um处做为中心焦距。

优选的，所述第一区域曝光条件以中心焦距+0.3um、曝光能量以最适能量196msec进行曝光。

优选的，所述第二区域曝光条件以中心焦距+0.2um、曝光能量以能量194msec进行曝光。

优选的，所述第三区域曝光条件以中心焦距0.5um、曝光能量以能量192msec进行曝光。

本发明的技术效果和优点：