[实用新型]反应室有效
申请号: | 201822182152.4 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209307485U | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 杨专青;马五吉;龚恒翔 | 申请(专利权)人: | 重庆理工大学 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54;C23C16/52 |
代理公司: | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人: | 刘兴顺 |
地址: | 400054 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种反应室,反应室本体内水平设有反应腔,上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯,该上碘钨灯的长度方向朝反应室本体的前、后侧壁,下升降板下板面对应上碘钨灯固定有一组下碘钨灯;上、下升降板之间的区域为反应区,而下升降板的上板面配设有多组不同厚度的衬底模板,该衬底模板上的安装孔用于放置相应厚度的衬底。本案增设了上、下升降板,这样就便于根据需要调整上、下升降板之间的间距,也能使衬底模板的顶面与反应腔的下壁平齐,这样就能避免反应区处的气流场畸变。有效保证薄膜的制备质量。 | ||
搜索关键词: | 下升降板 碘钨灯 衬底 反应腔 反应室本体 反应室 上板面 本实用新型 并排固定 反应区处 上升降板 水平设有 安装孔 反应区 后侧壁 气流场 畸变 顶面 平齐 下板 下壁 薄膜 制备 增设 保证 | ||
【主权项】:
1.一种反应室,其特征在于:包括反应室本体(1)和衬底模板(8),其中反应室本体(1)的侧壁为双层中空结构,中间的空腔为水冷腔,且反应室本体(1)的外壁上接有与该水冷腔连通的进水管和出水管;所述反应室本体(1)顶部敞口,该敞口能够由密封盖(2)密封,而密封盖(2)上设有水冷却腔,且密封盖(2)上接有与该水冷却腔连通的进水管和出水管;所述反应室本体(1)内水平设有反应腔(3),该反应腔左端的进口固定在反应室本体(1)左侧壁上的安装孔中,反应腔(3)右端的出口装在所述反应室本体(1)右侧壁上的安装孔中;所述反应腔(3)为矩形腔,该反应腔上壁与下壁之间的间距在5mm以内;所述反应腔(3)中部的上缺口处设有上升降板(4),该反应腔中部的下缺口处对应上升降板(4)设有下升降板(5);所述上升降板(4)的上板面沿反应腔(3)长度方向并排固定有一组上碘钨灯(6),该上碘钨灯的长度方向朝所述反应室本体(1)的前、后侧壁,所述下升降板(5)下板面对应上碘钨灯(6)固定有一组下碘钨灯(7);所述上升降板(4)和下升降板(5)的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔(3)外表面相连,并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度,从而调整上、下升降板之间的间距;所述上、下升降板之间的区域为反应区,而下升降板(5)的上板面配设有多组不同厚度的所述衬底模板(8),该衬底模板上的安装孔用于放置相应厚度的衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆理工大学,未经重庆理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201822182152.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种常压多层气相反应炉
- 下一篇:雾化辅助CVD薄膜沉积装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的