[实用新型]反应室

说明书

本实用新型公开一种反应室，反应室本体内水平设有反应腔，上升降板的上板面沿反应腔长度方向并排固定有一组上碘钨灯，该上碘钨灯的长度方向朝反应室本体的前、后侧壁，下升降板下板面对应上碘钨灯固定有一组下碘钨灯；上、下升降板之间的区域为反应区，而下升降板的上板面配设有多组不同厚度的衬底模板，该衬底模板上的安装孔用于放置相应厚度的衬底。本案增设了上、下升降板，这样就便于根据需要调整上、下升降板之间的间距，也能使衬底模板的顶面与反应腔的下壁平齐，这样就能避免反应区处的气流场畸变。有效保证薄膜的制备质量。

技术领域

本实用新型属于薄膜制造领域，尤其涉及一种反应室。

背景技术

薄膜材料具有广泛的用途，现有的镀膜方法主要有化学气相沉积法(简称 CVD)和物理气相沉积法(简称PVD)这两大类，且每一类镀膜方法又因为材料特征等因素而细分出很多小类的镀膜方法。目前，常规的CVD沉积法前驱体为全气相物，输入到反应装置的反应区受热或受到其他物理场的激发后发生化学反应，并沉积在衬底表面，且CVD方法适合制备高质量的薄膜，但是成本高，薄膜沉积速度慢，大部分CVD工艺需要在真空环境下进行。衬底有多种结构，比如平面衬底和非平面衬底，目前平面衬底常常直接放置在反应区的底平面上，且反应区的高度差不可调节。另外，现有的反应室不好控制和调整反应区的温度场，进而无法保证成膜质量。

现有技术的缺陷是：

1、现有技术中平面衬底常常直接放置在反应区的底平面上，我们发现反应区近衬底表面的气流场会因为衬底的厚度原因发生“畸变”现象，衬底的厚度越厚“畸变”现象越显著，从而导致气流场突变，这样会严重地影响薄膜的成膜质量。

2、现有技术不好控制反应区的温度场，进而难于保证成膜质量。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种反应室，欲防止平面衬底近表面的气流场发生“畸变”现象。

本实用新型的技术方案如下：一种反应室，其特征在于：包括反应室本体 (1)和衬底模板(8)，其中反应室本体(1)的侧壁为双层中空结构，中间的空腔为水冷腔，且反应室本体(1)的外壁上接有与该水冷腔连通的进水管和出水管；所述反应室本体(1)顶部敞口，该敞口能够由密封盖(2)密封，而密封盖(2)上设有水冷却腔，且密封盖(2)上接有与该水冷却腔连通的进水管和出水管；所述反应室本体(1)内水平设有反应腔(3)，该反应腔左端的进口固定在反应室本体(1)左侧壁上的安装孔中，反应腔(3)右端的出口装在所述反应室本体(1)右侧壁上的安装孔中；所述反应腔(3)为矩形腔，该反应腔上壁与下壁之间的间距在5mm以内；所述反应腔(3)中部的上缺口处设有上升降板(4)，该反应腔中部的下缺口处对应上升降板(4)设有下升降板(5)；所述上升降板(4)的上板面沿反应腔(3)长度方向并排固定有一组上碘钨灯 (6)，该上碘钨灯的长度方向朝所述反应室本体(1)的前、后侧壁，所述下升降板(5)下板面对应上碘钨灯(6)固定有一组下碘钨灯(7)；所述上升降板 (4)和下升降板(5)的左、右端分别通过一个高度调整组件与反应腔(3)外表面相连，并可以在高度调整组件的作用下调整上、下升降板的高度，从而调整上、下升降板之间的间距；所述上、下升降板之间的区域为反应区，而下升降板(5)的上板面配设有多组不同厚度的所述衬底模板(8)，该衬底模板上的安装孔用于放置相应厚度的衬底。