[发明专利]自我追踪双稳态锁存单元及其操作方法在审
| 申请号： | 201811036269.X | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109768796A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 马腾桂;史富洋 | 申请（专利权）人： | 汉芝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自我追踪双稳态锁存单元，包括交叉耦合锁存器、第一及第二可写入晶体管。交叉耦合锁存器接收锁存控制信号及参考电压。第一可写入晶体管的第一端输出第一位，第一可写入晶体管的第二端耦接于交叉耦合锁存器的第一数据端，而第一可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第二可写入晶体管的第一端输出第二位，第二可写入晶体管的第二端耦接于交叉耦合锁存器的第二数据端，而第二可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第一可写入晶体管及第二可写入晶体管两者的栅极氧化层皆较交叉耦合锁存器中晶体管的栅极氧化层薄。 | ||
| 搜索关键词： | 可写入晶体管 交叉耦合锁存器 追踪控制信号 栅极氧化层 锁存单元 第一端 控制端 双稳态 耦接 锁存控制信号 追踪 参考电压 第一数据 输出 晶体管 数据端 | ||
【主权项】：
1.一种自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于，包括：交叉耦合锁存器，具有第一数据端，第二数据端，用以接收锁存控制信号的第一电压输入端，及用以接收参考电压的第二电压输入端；第一可写入晶体管，具有用以在执行读取操作时输出第一位的第一端，耦接于交叉耦合锁存器的第一数据端的第二端，及用以接收追踪控制信号控制端，其中所述第一可写入晶体管的栅极氧化层较所述交叉耦合锁存器中的晶体管的栅极氧化层薄；及第二可写入晶体管，具有用以在执行所述读取操作时输出第二位的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的第二端，及用以接收所述追踪控制信号的控制端，其中所述第二可写入晶体管的栅极氧化层较所述交叉耦合锁存器中的所述晶体管的所述栅极氧化层薄。
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