[发明专利]自我追踪双稳态锁存单元及其操作方法

权利要求书

1.一种自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于，包括：

交叉耦合锁存器，具有第一数据端，第二数据端，用以接收锁存控制信号的第一电压输入端，及用以接收参考电压的第二电压输入端；

第一可写入晶体管，具有用以在执行读取操作时输出第一位的第一端，耦接于交叉耦合锁存器的第一数据端的第二端，及用以接收追踪控制信号控制端，其中所述第一可写入晶体管的栅极氧化层较所述交叉耦合锁存器中的晶体管的栅极氧化层薄；及

第二可写入晶体管，具有用以在执行所述读取操作时输出第二位的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的第二端，及用以接收所述追踪控制信号的控制端，其中所述第二可写入晶体管的栅极氧化层较所述交叉耦合锁存器中的所述晶体管的所述栅极氧化层薄。

2.如权利要求1所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于在执行追踪操作时：

所述交叉耦合锁存器进入稳态，并根据所述交叉耦合锁存器的原生趋势经由所述第一数据端及所述第二数据端输出互补位对；及

根据所述互补位对击穿所述第一可写入晶体管及所述第二可写入晶体管的其中一者。

3.如权利要求2所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于在执行所述追踪操作时：

所述追踪控制信号是在第一电压；

所述锁存控制信号是在高于所述第一电压的第二电压；及

所述第二电压与所述第一电压之间的电压差大到足以击穿所述第一可写入晶体管及所述第二可写入晶体管。

4.如权利要求3所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于在执行所述读取操作时：

所述锁存控制信号及所述追踪控制信号是在所述参考电压或是在浮接状态；

所述追踪控制信号变为第三电压；及

在所述追踪控制信号变为所述第三电压后，所述锁存控制信号变为第四电压；

其中所述第三电压及所述第四电压都高于所述参考电压。

5.如权利要求4所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于在所述第二电压高于所述第三电压及所述第四电压。

6.如权利要求3所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于在执行自毁操作时：

所述锁存控制信号及所述追踪控制信号是在所述参考电压或是在浮接状态；

所述追踪控制信号变为第三电压；及

在所述追踪控制信号变为所述第三电压之后，所述锁存控制信号及所述追踪控制信号皆变为所述第二电压。

7.如权利要求1所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于所述第一可写入晶体管及所述第二可写入晶体管是为反熔丝晶体管。

8.如权利要求1所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于所述交叉耦合锁存器包括：

第一P型晶体管，具有耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一电压输入端的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一数据端的第二端，及耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的控制端；

第二P型晶体管，具有耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一电压输入端的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的第二端，及耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一数据端的控制端；

第一N型晶体管，具有耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一数据端的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二电压输入端的第二端，及耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的控制端；及

第二N型晶体管，具有耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二数据端的第一端，耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第二电压输入端的第二端，及耦接于所述交叉耦合锁存器的所述第一数据端的控制端。

9.如权利要求1所述的自我追踪双稳态锁存单元，其特征在于所述自我追踪双稳态锁存单元是设置于存储器结构中。