[发明专利]一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法有效
| 申请号： | 201710365079.1 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN107180858B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;廖航;童怀志;刘宗贺;徐玉豹;王泗禹;王禺 | 申请（专利权）人： | 富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336;H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用异质结结构的可控硅，包括P型穿通区、N型长基区、P+阳极区、P型短基区；P型短基区与P型穿通区之间设有沟槽；P型穿通区、N+阴极区、P型短基区上侧均覆有氮化硅钝化层；P型短基区上侧还设有门极；本发明的制作工艺包括：硅片双面抛光、氧化、穿通区光刻、穿通扩散、短基区扩散、浓硼区光刻、浓硼区扩散、阴极区光刻、生长碳化硅外延、碳化硅刻蚀、沟槽光刻、沟槽腐蚀、氮化硅钝化、玻璃钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金。本发明减小了常温下可控硅的触发电流，避免了发射区重掺杂效应的发生，提高了可控硅在高温下工作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 穿通 光刻 可控硅 异质结结构 浓硼区 阴极区 氮化硅钝化层 氮化硅钝化 短基区扩散 碳化硅外延 扩散 玻璃钝化 触发电流 沟槽腐蚀 硅片双面 制作工艺 常温下 发射区 碳化硅 阳极区 引线孔 重掺杂 抛光 铝合金 背金 反刻 减小 刻蚀 门极 蒸铝 生长 制造 | ||
【主权项】：
1.一种采用异质结结构的可控硅，其特征在于：包括P型穿通区(1)、N型长基区(2)、P+阳极区(3)、P型短基区(8)，P型穿通区(1)设于N型长基区(2)两侧，N型长基区(2)上侧设有P型短基区(8)，N型长基区(2)下侧设有P+阳极区(3)，P+阳极区(3)下侧与阳极(4)相连；所述P型短基区(8)上侧设有N+阴极区(7)，N+阴极区(7)上侧与阴极(6)相连；所述P型短基区(8)与P型穿通区(1)之间设有沟槽(10)；所述P型穿通区(1)、N+阴极区(7)、P型短基区(8)上侧均覆有氮化硅钝化层(5)；所述P型短基区(8)上侧还设有门极(9)；P型短基区和N+阴极区形成的PN结只存在于体内，器件表面没有PN结；所述P型穿通区(1)、N型长基区(2)、P+阳极区(3)、P型短基区(8)的材料均为硅，N+阴极区(7)的材料为碳化硅。
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