[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201710040781.0 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107046024A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 陈俊吉;郑凯文;蔡正原;吴国铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括第一磁性层、绝缘氧化物层、氧俘获层和覆盖层。绝缘氧化物层位于第一磁性层上方。氧俘获层位于绝缘氧化物层上方。氧俘获层的氧浓度低于绝缘氧化物层的氧浓度。覆盖层位于氧俘获层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一磁性层；绝缘氧化物层，位于所述第一磁性层上方；氧俘获层，位于所述绝缘氧化物层上方，其中，所述氧俘获层的氧浓度低于所述绝缘氧化物层的氧浓度；和覆盖层，位于所述氧俘获层上方。
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