[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构。

背景技术

电感器已经用于各种微电子电路应用中，诸如变压器、电源转换器、电磁干扰(EMI)噪声降低以及包括振荡器、放大器和匹配网络的射频(RF)和微波电路。

电子工业中的主要趋势是使电子组件更轻、更小、更强大、更可靠和成本更低。因此，包括电感器的电子器件期望形成在芯片上，即，电感器期望集成在集成电路和/或形成在半导体封装件中。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一磁性层；绝缘氧化物层，位于所述第一磁性层上方；氧俘获层，位于所述绝缘氧化物层上方，其中，所述氧俘获层的氧浓度低于所述绝缘氧化物层的氧浓度；和覆盖层，位于所述氧俘获层上方。

本发明的另一实施例提供了一种集成电感器，包括：彼此堆叠的多个层压单元，其中，每个所述层压单元包括：第一钴锆钽(CZT)层；CZT氧化物层，位于所述第一CZT层上方；无氧CZT氧化物层，位于所述CZT氧化物层上方，其中，所述无氧CZT氧化物层的氧浓度低于所述CZT氧化物层的氧浓度；和导电层，位于所述无氧CZT氧化物层上方。

本发明的又一实施例提供了一种半导体器件，包括：MOSFET，位于半导体衬底；和膜堆叠件，位于所述半导体衬底上方，其中，重复的膜堆叠件包括多个层压单元，并且至少一个层压单元包括：第一磁性层；绝缘氧化物层，位于所述第一磁性层上方；氧俘获层，位于所述绝缘氧化物层上方，其中，所述氧俘获层的氧浓度低于所述绝缘氧化物层的氧浓度；和覆盖层，位于所述氧俘获层上方。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是半导体器件的一些实施例的示意性截面图。

图2是半导体器件的一些实施例的示意性截面图。

图3是半导体器件的一些实施例的示意性截面图。

图4是根据本发明的一些实施例的制造半导体器件的方法的流程图。

图5A、图5B、图5C、图5D和图5E是在根据本发明的一些实施例的制造半导体器件的各种操作的其中一个的截面图。

图6A是示出了没有氧俘获层的层压单元的TEM EDX线扫描模拟的模拟图表。

图6B是示出具有氧俘获层的层压单元的TEM EDX线扫描模拟的模拟图表。

图7是膜堆叠件的一些实施例的示意性截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

在本发明中，半导体器件包括彼此堆叠的磁性层、绝缘层、阻挡层和导电层。半导体器件可以用作具有磁芯的集成电感器。半导体器件可以用于各种微电子电路应用中，诸如变压器、电源转换器、电磁干扰(EMI)噪声降低以及包括振荡器、放大器和匹配网络的射频(RF)和微波电路。半导体器件100的确切功能不限于所提供的主题。

在本发明中，设置在绝缘层和导电层之间的阻挡层是氧俘获层，其配置为俘获颗粒和防止颗粒扩散到导电层。