[发明专利]一种FinFET器件的CMP工艺建模方法有效
| 申请号： | 201611193180.5 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108228943B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/39 | 分类号： | G06F30/39;G06F119/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET器件的CMP工艺建模方法，包括：基于CMP工艺对FinFET器件进行机理分析，其中，所述机理分析包括：CVD沟槽填充机理分析和CMP工艺研磨机理分析；根据所述机理分析的结果，对所述FinFET器件进行CMP工艺建模，其中，CMP工艺建模包括：浅沟道隔离CMP工艺建模、多晶硅CMP工艺建模、第零层间绝缘CMP工艺建模和金属栅CMP工艺建模。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，在于通过开发FinFET器件的CMP工艺建模技术，建立兼顾机理和效率的FinFET器件CMP仿真模型，以优化设计实现和工艺参数配置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 cmp 工艺 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的CMP工艺建模方法，其特征在于，包括：基于CMP工艺对FinFET器件进行机理分析，其中，所述机理分析包括：CVD沟槽填充机理分析和CMP工艺研磨机理分析；根据所述机理分析的结果，对所述FinFET器件进行CMP工艺建模，其中，CMP工艺建模包括：浅沟道隔离CMP工艺建模、多晶硅CMP工艺建模、第零层间绝缘CMP工艺建模和金属栅CMP工艺建模。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611193180.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
