[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201420280147.6 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN203871327U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 孙建;陈鹏骏;李成;安星俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置,由于金属屏蔽层不仅与公共电极电性连接,且用于电性连接金属屏蔽层与公共电极的第一连接部与源漏电极同层设置,并且是通过贯穿第一绝缘层和缓冲层的过孔与金属屏蔽电极电性连接。因此本实用新型实施例提供的上述阵列基板不仅可以在有源层与金属屏蔽层之间形成存储电容,从而达到增大阵列基板电容的目的,并且在制备时可以通过一次构图工艺形成同层设置的第一连接部与源漏电极,从而可以减少制作流程,简化制作工艺,最终可以达到节省制作成本、缩短制作时间的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的金属屏蔽层、缓冲层、顶栅型薄膜晶体管和公共电极;其中,所述顶栅型薄膜晶体管的源漏电极位于有源层的上方、且通过贯穿位于所述源漏电极与所述有源层之间的第一绝缘层的第一过孔与所述有源层电性连接,其特征在于,还包括:与所述源漏电极同层设置的、用于电性连接所述金属屏蔽层与所述公共电极、且通过贯穿所述第一绝缘层和所述缓冲层的第二过孔与所述金属屏蔽层电性连接的第一连接部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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