[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201420280147.6 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN203871327U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 孙建;陈鹏骏;李成;安星俊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的金属屏蔽层、缓冲层、顶栅型薄膜晶体管和公共电极;其中,所述顶栅型薄膜晶体管的源漏电极位于有源层的上方、且通过贯穿位于所述源漏电极与所述有源层之间的第一绝缘层的第一过孔与所述有源层电性连接,其特征在于,还包括:
与所述源漏电极同层设置的、用于电性连接所述金属屏蔽层与所述公共电极、且通过贯穿所述第一绝缘层和所述缓冲层的第二过孔与所述金属屏蔽层电性连接的第一连接部。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述源漏电极与所述公共电极之间的第二绝缘层;
所述公共电极通过贯穿所述第二绝缘层的第三过孔与所述第一连接部电性连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
位于所述公共电极上方的像素电极,位于所述像素电极与所述公共电极之间的第三绝缘层,以及与所述公共电极同层设置、且用于电性连接所述像素电极与所述源漏电极中的漏电极的第二连接部;其中,
所述第二连接部通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接;所述像素电极通过贯穿所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二连接部电性连接。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
位于所述源漏电极与所述公共电极之间且与所述公共电极相互绝缘的像素电极,以及位于所述像素电极与所述源漏电极之间的第二绝缘层;
所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层的第六过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
位于所述像素电极与所述公共电极之间的第三绝缘层,以及与所述像素电极同层设置、用于电性连接所述公共电极与所述第一连接部的第三连接部;其中,
所述第三连接部通过贯穿所述第二绝缘层的第七过孔与所述第一连接部电性连接;所述公共电极通过贯穿所述第三绝缘层的第八过孔与所述第三连接部电性连接。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的