[发明专利]单晶硅位错腐蚀剂及检测方法有效
| 申请号： | 201310576502.4 | 申请日： | 2013-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103590113A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王新强;邓浩;马自成 | 申请（专利权）人： | 银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C23F1/24;G01N21/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅位错腐蚀剂，由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。该单晶硅位错腐蚀剂能腐蚀出低密度位错，且无刺激性气味，环境友好。本发明单晶硅位错检测方法为将待检测的单晶硅浸入单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀，方法简单，检测效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 腐蚀剂 检测 方法 | ||
【主权项】：
单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司，未经银川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;无锡隆基硅材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310576502.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：织布机专用JSG355减速机
- 下一篇：一种混棉机
