[发明专利]单晶硅位错腐蚀剂及检测方法

权利要求书

1.单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：由氢氟酸、硝酸和缓释剂组成，所述缓释剂为硼酸溶液。

2.根据权利要求1所述的单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：按体积分数计，氢氟酸、硝酸和硼酸溶液的比例为1.0:3.0:3.0-10.0，其中，氢氟酸的质量浓度为40-49%，硝酸的质量浓度为65-68%，硼酸溶液的质量浓度为10%。

3.根据权利要求2所述的单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：氢氟酸的质量浓度为40-42%，硝酸的质量浓度为65%，硼酸溶液的质量浓度为10%。

4.根据权利要求2或3所述的单晶硅位错腐蚀剂，其特征在于：按体积分数计，氢氟酸、硝酸和缓释剂的比例为1.0:3.0:5.5-6.5。

5.根据权利要求1-4任一项所述单晶硅位错腐蚀剂进行错位检测的方法，其特征在于：将待检测的单晶硅浸入所述单晶硅位错腐蚀剂中进行腐蚀。

6.根据权利要求5所述单晶硅位错腐蚀剂进行错位检测的方法，其特征在于：待检测的单晶硅为单晶硅棒，腐蚀时间为18分钟至40分钟。

7.根据权利要求5所述单晶硅位错腐蚀剂进行错位检测的方法，其特征在于：待检测的单晶硅为单晶硅片，腐蚀时间为8分钟至20分钟。

8.根据权利要求5-7任一项所述单晶硅位错腐蚀剂进行错位检测的方法，其特征在于：将待检测的单晶硅进行腐蚀之后，对其进行清洗，然后进行观察。

9.根据权利要求8所述单晶硅位错腐蚀剂进行错位检测的方法，其特征在于：所述观察是用肉眼直接观察或借助显微镜观察。