[发明专利]一种LED晶片结构在审
| 申请号： | 201310367768.8 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103400916A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 吴少红 | 申请（专利权）人： | 深圳市凯信光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 余敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；正电极延伸设置在衬底和LED半导体层的一侧，正电极与P型半导体层的端部、透明导电层的端部直接接触连接，或者仅通过透明导电层的端部直接接触连接，再或者省略掉透明导电层，与P型半导体层的端部直接接触连接；负电极延伸设置在衬底和LED半导体层的另一侧，负电极与LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。本发明中的LED晶片结构，正电极、负电极延伸设置在两侧，LED晶片结构的散热性能、导电性能均较好，且封装时不再需要打金线，封装成本较低，封装工序简便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 晶片 结构 | ||
【主权项】：
一种LED晶片结构，其特征在于：包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层；所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧；所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间；或者，所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间；所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧，所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。
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