[发明专利]一种LED晶片结构

说明书

【技术领域】

本发明涉及LED晶片结构。

【背景技术】

现有的LED晶片结构，其结构示意图通常如图1所示，包括依次设置的衬底1、LED半导体层（包括n型半导体层2、发光层11和p型半导体层3）、透明导电层8。正电极12设置在透明导电层8的上面，LED半导体层为台阶状，负电极13设置在台阶的台面上。正电极12通过透明导电层8与p型半导体层3形成电连接，负电极13与n型半导体层2形成电连接。

该种LED晶片结构存在以下不足：1、LED晶片结构工作时，散热方面主要是通过底部的衬底1散热，散热性能并不十分理想。导电方面，是通过正电极、负电极分别连接金线，金线再连接PCB板上的线路层。而由于透明导电层8上为出光面，因此必须将设置在出光面的正电极12的面积设置得较小，以免影响出光效率。这样，面积较小的电极借助细长的金线导电，使得此种结构的LED晶片的导电性能不好。2、LED晶片结构在后续封装时，必须通过导线（例如金线、银线、铜线、合金线）与PCB板上的线路层连接，这就涉及到在LED晶片的正电极、负电极上打金线，一方面，打金线通常需要使用到邦定机，而邦定机价格昂贵（在三、四十万左右），金线等导线也存在耗材成本，使得LED晶片封装时成本较高；另一方面，邦定机打金线时，需要设置各方面的参数，设置不好将导致操作失败，使得LED晶片封装时工序复杂。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种LED晶片结构，散热和导电性能较好，且便于后续封装，使后续封装时成本较低，工序简便。

本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：

一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、透明导电层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；所述衬底上依次设置有所述LED半导体层和透明导电层；所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧；所述正电极与所述LED半导体层中的P型半导体层的端部、所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间；或者，所述正电极与所述透明导电层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层、p型半导体层之间；所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧，所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。

一种LED晶片结构，包括衬底、LED半导体层、第一透明绝缘层、正电极和负电极；所述LED半导体层包括依次设置的n型半导体层、发光层、p型半导体层；所述衬底上设置有所述LED半导体层；所述正电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的一侧，所述正电极与所述p型半导体层的端部直接接触连接，所述第一透明绝缘层设置在所述正电极和所述LED半导体层的n型半导体层、发光层之间；所述负电极延伸设置在所述衬底和所述LED半导体层的另一侧，所述负电极与所述LED半导体层中的n型半导体层的端部直接接触连接。

本发明与现有技术对比的有益效果是：

本发明的LED晶片结构，正电极和负电极分别延伸设置在衬底和LED半导体层的两侧，通过透明绝缘层使相应的电极与半导体层、发光层的绝缘隔绝开，避免短路。由于正电极、负电极延伸设置在两侧，因此不用担心电极影响出光效率的问题，正电极、负电极的面积可设置得较大。工作时，除通过底部的衬底散热外，两侧的正负电极也可辅助散热，从而提高LED晶片结构的散热性能，使得LED晶片结构的散热性能较好。导电方面，LED晶片结构的正负电极可直接通过锡膏与PCB板上的线路层焊接连接，不再需要借助细长的金线连接，导电面积较大，从而LED晶片结构的导电性能也较好。而由于正电极、负电极延伸设置在两侧，则后续封装时，直接通过锡膏焊接在PCB板的线路层上即可，封装时不再需要打金线，封装成本较低，封装工序简便。

【附图说明】

图1是现有技术中LED晶片结构的结构示意图；

图2是本发明具体实施方式一的LED晶片结构的结构示意图；

图3是本发明具体实施方式一的LED晶片结构的第一种变形结构示意图；

图4是本发明具体实施方式一的LED晶片结构的第二种变形结构示意图；

图5是本发明具体实施方式一的LED晶片结构的第三种变形结构示意图；

图6是本发明具体实施方式二的LED晶片结构的结构示意图；