[发明专利]功率半导体元件

摘要

一种功率半导体元件，具备第1电极、第1半导体层、第2半导体层、第3半导体层、第4半导体层、第2电极、第1控制电极和第1绝缘膜。第1半导体层设在第1电极之上，是第1导电型。第2半导体层设在第1半导体层之上，是第2导电型。第3半导体层在第1半导体层之上、与第2半导体层离开地设置，是第2导电型。第4半导体层设在第3半导体层之上，是第1导电型。第2电极设在第4半导体层之上，与第4半导体层电连接。第1控制电极在第2半导体层与第3半导体层之间、靠近第3半导体层侧设置。第1绝缘膜设在第1半导体层与第1控制电极之间、第2半导体层与第1控制电极之间、以及第3半导体层与第1控制电极之间。

主权项

一种功率半导体元件，其特征在于，具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极之上；第2导电型的第2半导体层，设在上述第1半导体层之上；第2导电型的第3半导体层，与上述第2半导体层离开而设在上述第1半导体层之上；第1导电型的第4半导体层，设在上述第3半导体层之上；第2电极，设在上述第4半导体层之上，与上述第4半导体层电连接；第1控制电极，在上述第2半导体层与上述第3半导体层之间、靠近上述第3半导体层侧设置；以及第1绝缘膜，在上述第1半导体层与上述第1控制电极之间、上述第2半导体层与上述第1控制电极之间、以及上述第3半导体层与上述第1控制电极之间设置。