[发明专利]功率半导体元件

权利要求书

1.一种功率半导体元件，其特征在于，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极之上；

第2导电型的第2半导体层，设在上述第1半导体层之上；

第2导电型的第3半导体层，与上述第2半导体层离开而设在上述第1半导体层之上；

第1导电型的第4半导体层，设在上述第3半导体层之上；

第2电极，设在上述第4半导体层之上，与上述第4半导体层电连接；

第1控制电极，在上述第2半导体层与上述第3半导体层之间、靠近上述第3半导体层侧设置；以及

第1绝缘膜，在上述第1半导体层与上述第1控制电极之间、上述第2半导体层与上述第1控制电极之间、以及上述第3半导体层与上述第1控制电极之间设置。

2.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，

还具备设在上述第1控制电极与上述第2半导体层之间、与上述第2电极电连接的第3电极；

上述第1绝缘膜延伸到上述第1半导体层与上述第3电极之间、上述第2半导体层与上述第3电极之间、以及上述第1控制电极与上述第3电极之间。

3.如权利要求2所述的功率半导体元件，其特征在于，

还具备设在上述第1控制电极与上述第3电极之间、与上述第2电极电连接的第4电极；

上述第1绝缘膜延伸到上述第1半导体层与上述第4电极之间、上述第1控制电极与上述第4电极之间、以及上述第2控制电极与上述第4电极之间。

4.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第2半导体层与上述第1电极之间的距离比上述第3半导体层与上述第1电极之间的距离短。

5.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第2半导体层处于电浮动的状态。

6.如权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，还具备：

第2导电型的第5半导体层，相对于上述第2半导体层向与上述第3半导体层相反侧离开而设在上述第1半导体层之上；

第1导电型的第6半导体层，设在上述第5半导体层之上，与上述第2电极电连接；

第2控制电极，在上述第2半导体层与上述第5半导体层之间、靠近上述第5半导体层侧设置；以及

第2绝缘膜，在上述第1半导体层与上述第2控制电极之间、上述第2半导体层与上述第2控制电极之间、以及上述第5半导体层与上述第2控制电极之间设置。

7.如权利要求6所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第2半导体层与上述第1电极之间的距离比上述第5半导体层与上述第1电极之间的距离短。

8.如权利要求6所述的功率半导体元件，其特征在于，还具备：

第1导电部，设在上述第1控制电极与上述第2控制电极之间，与上述第2电极电连接；以及

第3绝缘膜，在上述第1半导体层与上述第1导电部之间、以及上述第2半导体层与上述第1导电部之间设置。

9.如权利要求8所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第1绝缘膜与上述第3绝缘膜之间的距离和上述第2绝缘膜与上述第3绝缘膜之间的距离分别是0.5μm以上4μm以下。

10.如权利要求8所述的功率半导体元件，其特征在于，

还具备：

第2导电部，设在上述第1导电部与上述第2控制电极之间；以及

第3导电部，设在上述第1导电部与上述第2导电部之间；

上述第3绝缘膜延伸到上述第1半导体层与上述第2导电部之间、上述第2半导体层与上述第2导电部之间、上述第1半导体层与上述第3导电部之间、上述第1导电部与上述第3导电部之间、以及上述第2导电部与上述第3导电部之间。

11.如权利要求10所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第2导电部及上述第3导电部与上述第2电极电连接。

12.如权利要求10所述的功率半导体元件，其特征在于，

上述第2导电部与上述第2电极电连接；

上述第3导电部与上述第1控制电极电连接。