[发明专利]使用垂直型NPN晶体管的静电放电夹无效
申请号: | 201310147896.1 | 申请日: | 2013-04-24 |
公开(公告)号: | CN103325782A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 包兴坤 | 申请(专利权)人: | 苏州硅智源微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215122 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种使用垂直型NPN晶体管的静电放电夹,包含二极管和一个在衬底上的外延层表面的槽座上的晶体管。NPN型晶体管的集电极连接输入电路并且晶体管的发射极连接到上述衬底。用一个电阻连接该晶体管的基极和发射极。另外,在槽座焊接一个附加的NPN型晶体管,在附加晶体管的发射极和输入终端之间安置一个双向夹。两个晶体管的集电极通过N-型掺杂的外延层槽座相互连接。掺杂物质的导电性可以互换。 | ||
搜索关键词: | 使用 垂直 npn 晶体管 静电 放电 | ||
【主权项】:
一种使用NPN型晶体管的静电放电夹,其特征是:包含一个拥有导电性的半导体衬底;第一个拥有相反导电性的半导体区域紧靠上述衬底的表面,在该区域有一个垂直的含有发射极、基极和集电极区域的双极性晶体管;上述集电极区域耦合地连接到上述输入终端和二极管,再连接到上述衬底;上述基极区域通过一个限流电阻元件耦合连接到上述发射极区域;上述垂直的双极型晶体管有一个低于预选电压集电极和基极之间的击穿电压,使该垂直的双极晶体管在输入到上述输入终端的电压值低于预选击穿电压时不工作;在上述输入电压大于预选电压时,建立一个释放上述输入端的多余电量的电流通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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