[发明专利]用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料有效

专利信息
申请号: 201210007519.3 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN103203565A 公开(公告)日: 2013-07-17
发明(设计)人: 程东明 申请(专利权)人: 郑州大学
主分类号: B23K35/30 分类号: B23K35/30;B23K35/02;B23K1/00
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 霍彦伟
地址: 450001 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开一种用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料,是按照下述步骤进行的:a、在热沉或者管芯上制备2~5μm的第一银薄膜;b、在第一银薄膜上制作1~2μm的铟薄膜;c、在铟薄膜上制作0.1~0.2μm的第二银薄膜;d、将热沉和管芯在160~180℃烧结1~2min,烧结的时候充氮气或者氢气,之后在90~100℃退火1~2h。本发明采用分层结构,由于烧结时间短,只有最上层的银与铟扩散,铟下面的银还没有来得及和铟扩散,只是铟表面的银和铟有充分的扩散,这时银的含量为1%-3%,仍是以铟为主的合金,所以烧结温度低。当经过较长时间的低温退火后,铟下面的银全部与铟扩散,铟的含量为20%-33%,形成了以银为主的合金焊料,此时熔点为660-670℃,形成了高温焊料,满足了大功率半导体激光器列阵或叠阵的要求。
搜索关键词: 用于 大功率 半导体激光器 列阵 耐高温 焊料
【主权项】:
一种用于大功率半导体激光器列阵及叠阵的耐高温焊料,其特征在于是按照下述步骤进行的:a、在热沉或者管芯上制备2~5μm的第一银薄膜;b、在第一银薄膜上制作1~2μm的铟薄膜;c、在铟薄膜上制作0.1~0.2μm的第二银薄膜;d、将热沉和管芯在160~180℃烧结1~2min,烧结的时候充氮气或者氢气,之后在90~100℃退火1~2h。
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