[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201210004842.5 申请日: 2012-01-09
公开(公告)号: CN102593204A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 辛明俊;金圣辰;郑柱和;梁荣成;权泰瑛;李满;郭桂荣;李圣恩 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。一种太阳能电池,包括:第一导电类型的基板;与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域,该发射极区域位于基板处并且具有第一方块电阻;第一重掺杂区域,其位于基板处并且具有小于第一方块电阻的第二方块电阻;多个第一电极,其位于基板上,与第一重掺杂区域的至少一部分重叠,并且连接到第一重掺杂区域的至少一部分;以及至少一个第二电极,其位于基板上并且连接到基板。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,所述太阳能电池包括:第一导电类型的基板;与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域,所述发射极区域位于所述基板处,所述发射极区域具有第一方块电阻;第一重掺杂区域,所述第一重掺杂区域位于所述基板处,所述第一重掺杂区域具有小于所述第一方块电阻的第二方块电阻;多个第一电极,所述多个第一电极位于所述基板上,与所述第一重掺杂区域的至少一部分重叠,并且连接到所述第一重掺杂区域的所述至少一部分;以及至少一个第二电极,所述至少一个第二电极位于所述基板上并且连接到所述基板,其中所述第一重掺杂区域具有下述结构中的至少一种:包括在第一方向上延伸的第一部分以及在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分的结构;以及在相对于所述基板的侧面的倾斜方向上延伸的结构。
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