[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201210004842.5 申请日: 2012-01-09
公开(公告)号: CN102593204A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 辛明俊;金圣辰;郑柱和;梁荣成;权泰瑛;李满;郭桂荣;李圣恩 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明的实施方式涉及一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。

背景技术

近来,由于预计到诸如石油和煤炭的现有能源将耗尽,因此对于替代现有能源的另选能源的兴趣正在增加。在另选能源当中,用于从太阳能产生电能的太阳能电池已经引起了特别的关注。

太阳能电池通常包括具有不同导电类型(例如p型和n型)并且形成p-n结的半导体部件;以及分别连接到不同导电类型的半导体部件的电极。

当光入射在太阳能电池上时,在半导体部件中产生电子空穴对。电子和空穴在p-n结的影响下分别移动到n型半导体部件和p型半导体部件。连接到n型半导体部件和p型半导体部件的电极分别收集电子和空穴。使用电线将电极彼此连接,从而获得电力。

发明内容

在一方面,提供一种太阳能电池,其包括:第一导电类型的基板;与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极区域,所述发射极区域位于所述基板处,所述发射极区域具有第一方块电阻;第一重掺杂区域,所述第一重掺杂区域位于所述基板处,所述第一重掺杂区域具有小于所述第一方块电阻的第二方块电阻;多个第一电极,所述多个第一电极位于所述基板上,与所述第一重掺杂区域的至少一部分重叠,并且连接到所述第一重掺杂区域的所述至少一部分;以及至少一个第二电极,所述至少一个第二电极位于所述基板上并且连接到所述基板,其中所述第一重掺杂区域具有下述结构中的至少一种:包括在第一方向上延伸的第一部分以及在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二部分的结构;以及在相对于所述基板的侧面的倾斜方向上延伸的结构。

第一重掺杂区域的第一部分和第二部分可以彼此交叉并且可以形成多个交叉点。第一部分和第二部分可以在多个交叉点处彼此连接。

多个第一电极中的每一个可以沿着多个交叉点延伸。

多个第一电极中的每一个可以包括在第三方向上延伸的第一部分。

第三方向可以不同于第一方向和第二方向。

第三方向可以与第一方向和第二方向中的一个相同。

第一重掺杂区域可以位于多个第一电极下面并且还可以包括沿着多个第一电极在第三方向上延伸的第三部分。

多个第一电极中的每一个还可以包括在不同于第三方向的第四方向上延伸的第二部分。

包括第一部分和第二部分的第一重掺杂区域可以按第一格子形状布置在基板处,并且包括第一部分和第二部分的多个第一电极可以按第二格子形状布置在基板上。第一格子形状和第二格子形状可以以预定角度错开(stagger)或者可以在第三方向和第四方向中的至少一个方向上错开预定距离。

太阳能电池还可以包括第一汇流条(bus bar),其位于基板上并且连接到多个第一电极。

太阳能电池还可以包括第二重掺杂区域,其具有小于第二方块电阻的第三方块电阻,该第二重掺杂区域在基板处位于多个第一电极下面并且连接到多个第一电极。

第一重掺杂区域的第一部分和第二部分可以彼此不交叉并且可以彼此不连接。

太阳能电池还可以包括第一汇流条,其位于基板上并且连接到多个第一电极。

第一重掺杂区域还可以包括第三部分,其在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸。

第一重掺杂区域的第三部分可以通过第一部分和第二部分的交叉点并且可以连接到第一部分和第二部分。

多个第一电极中的每一个可以包括主分支,其位于第一重掺杂区域的第三部分上并且沿着第三部分延伸;以及至少一个子分支,其位于第一重掺杂区域的第一部分和第二部分中的至少一个上并且沿着第一部分和第二部分中的至少一个延伸。一个第一电极的至少一个子分支可以与邻近于该一个第一电极的另一第一电极分离。

多个第一电极中的每一个可以包括主分支,其在与第一重掺杂区域的第三部分交叉的方向上延伸;以及至少一个子分支,其位于第一重掺杂区域的第一部分和第二部分中的至少一个上并且沿着第一部分和第二部分中的至少一个延伸。

多个第一电极中的每一个可以包括主分支,其位于第一重掺杂区域的第一部分和第二部分中的一个部分上并且沿着该一个部分延伸;以及至少一个子分支,其位于第一重掺杂区域的第一部分和第二部分中的另一部分上并且沿着该另一部分延伸。一个第一电极的至少一个子分支可以与邻近于该一个第一电极的另一第一电极分离。

第一重掺杂区域的第一部分至第三部分中的至少两个可以彼此不交叉并且可以彼此不连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210004842.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top