[发明专利]导热填料在VPI真空压力浸渍树脂中的应用无效
| 申请号： | 201210004444.3 | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102617886A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 倪永庆;张兰;戴鹏;李雪 | 申请（专利权）人： | 上海同立电工材料有限公司 |
| 主分类号： | C08K3/38 | 分类号： | C08K3/38;C08L63/02;C08G59/42;H02K15/12;C09J183/04;C09J11/04;H05K7/20 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 何新平 |
| 地址： | 201605 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种导热填料在VPI真空压力浸渍树脂中的应用，其特征在于，导热填料采用六方体结构氮化硼；所述六方体结构氮化硼粉体为晶体形式，且晶体粒径尺寸范围为2微米到5微米；所述六方体结构氮化硼的添加量范围在3％～35％，并采用微波分散技术分散到树脂体中。本发明的有益效果是：采用本发明提供的导热填料，能够有效的提高高压电机绝缘体的导热系数，降低树脂体系固化物的热态介质的损耗，并提升其电气强度。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 填料 vpi 真空 压力 浸渍 树脂 中的 应用 | ||
【主权项】：
导热填料在VPI真空压力浸渍树脂中的应用，其特征在于，导热填料采用六方体结构氮化硼；所述六方体结构氮化硼粉体为晶体形式，且晶体粒径尺寸范围为2微米到5微米，所述六方体结构氮化硼的添加量范围在3％～35％，并采用微波分散技术分散到树脂体中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海同立电工材料有限公司，未经上海同立电工材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210004444.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
