[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，N区由形成于有源区中并被N型深阱包覆；在有源区两侧的浅槽场氧底部形成有赝埋层，N区通过N型深阱和赝埋层相连接。N区的电极通过形成于赝埋层顶部的浅槽场氧中的深孔接触引出。P区由形成于有源区中的一P型离子注入区组成，P区位于N区的顶部并和N区相接触且P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；P区的电极通过形成于有源区顶部的金属接触引出。本发明还公开了一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法。本发明能与锗硅BiCMOS工艺完全集成，能为锗硅BiCMOS的电路设计提供一种稳压器件。

主权项

一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：齐纳二极管包括：一N型深阱，形成于所述有源区中，所述N型深阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述N型深阱横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；N区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述N区的横向尺寸小于等于所述有源区的横向尺寸、且所述N区被所述N型深阱包覆；赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层和所述N型深阱在所述浅槽场氧底部相接触，所述N区通过所述N型深阱和所述赝埋层相连接，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，该深孔接触引出所述N区的电极；P区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述P区位于所述N区的顶部并和所述N区相接触，所述P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；在所述有源区顶部形成有金属接触，该金属接触和所述P区接触并引出所述P区的电极。