[发明专利]锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管及制造方法

权利要求书

1.一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：齐纳二极管包括：

一N型深阱，形成于所述有源区中，所述N型深阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述N型深阱横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；

N区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述N区的横向尺寸小于等于所述有源区的横向尺寸、且所述N区被所述N型深阱包覆；

赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层和所述N型深阱在所述浅槽场氧底部相接触，所述N区通过所述N型深阱和所述赝埋层相连接，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，该深孔接触引出所述N区的电极；

P区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述P区位于所述N区的顶部并和所述N区相接触，所述P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；在所述有源区顶部形成有金属接触，该金属接触和所述P区接触并引出所述P区的电极。

2.如权利要求1所述的锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，其特征在于：所述N区的工艺条件和锗硅HBT三极管的集电区的工艺条件相同。

3.如权利要求1所述的锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管，其特征在于：所述P区的工艺条件和PMOS晶体管的源漏注入区的工艺条件相同。

4.一种锗硅BiCMOS工艺中的齐纳二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底上形成浅沟槽和有源区；

步骤二、在所述有源区周侧的所述浅沟槽的底部的进行N型离子注入形成赝埋层；

步骤三、在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅槽场氧；在所述硅衬底的正面进行离子注入工艺形成N型深阱，所述N型深阱位于所述有源区中，所述N型深阱的深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述N型深阱横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；所述赝埋层和所述N型深阱在所述浅槽场氧底部相接触；

步骤四、在所述有源区中进行N型离子注入形成N区；所述N区的横向尺寸小于等于所述有源区的横向尺寸、且所述N区被所述N型深阱包覆，所述N区通过所述N型深阱和所述赝埋层相连接；

步骤五、在所述有源区中进行P型离子注入形成P区，所述P区位于所述N区的顶部并和所述N区相接触，所述P区的掺杂浓度大于所述N区的掺杂浓度；

步骤六、在所述赝埋层顶部的浅槽场氧中形成深孔接触引出所述N区的电极；在所述有源区顶部形成和所述P区接触的金属接触并引出所述P区的电极。

5.如权利要求4所述方法，其特征在于：步骤二中所述赝埋层离子注入的注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2、注入能量为2KeV～50KeV、注入杂质为磷。

6.如权利要求4所述方法，其特征在于：步骤四中所述N区的N型离子注入工艺采用锗硅HBT三极管的集电区的离子注入工艺，该工艺的条件为：注入杂质为磷、注入剂量为2e12cm^-2～5e14cm^-2、注入能量为30KeV～350KeV。

7.如权利要求4所述方法，其特征在于：步骤五中所述P区的P型离子注入的工艺条件和PMOS晶体管的源漏注入的工艺条件相同。

8.如权利要求4所述方法，其特征在于：步骤三中所述N型深阱的离子注入的注入剂量为2e12cm^-2 ～1e14cm^-2、注入能量为1500KeV～2000KeV、注入杂质为磷。