[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法和相应的半导体器件。在替代栅工艺中通过在源漏区上方形成掺杂多晶硅层，形成贯穿层间介质层(300)和所述非晶硅层(251)的接触孔(310)，所述接触孔(310)至少部分暴露所述源/漏区(110)，并在所述源/漏区的暴露区域和接触孔在非晶硅层中的侧壁表面形成接触层，降低了所述源/漏区的接触电阻。由于接触层在对高K介质层进行退火后形成，所以避免了金属硅化物层在高温下被破坏。

主权项

一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底(100)；b)在所述衬底(100)上形成伪栅堆叠、附着于所述伪栅堆叠侧壁的侧墙(240)、以及位于所述伪栅堆叠两侧的源/漏区(110)，其中所述伪栅堆叠至少包括第一栅极介质层和伪栅极(220)；c)在所述源/漏区(110)表面形成与所述源/漏区同型掺杂的非晶硅层(251)；d)形成覆盖所述掺杂非晶硅层(251)以及伪栅堆叠的层间介质层(300)；e)去除所述层间介质层(300)的一部分以暴露所述伪栅堆叠；f)去除所述伪栅堆叠以形成开口，在所述开口(260)内填充第二栅介质层和所述第一导电材料(280)，以形成栅堆叠结构，或者去除所述伪栅堆叠在第一栅极介质层以上的部分以形成开口，在所述开口(260)内填充所述第一导电材料(280)，以形成栅堆叠结构；g)形成贯穿层间介质层(300)和所述非晶硅层(251)的接触孔(310)，所述接触孔(310)至少部分暴露所述源/漏区(110)；h)在所述源/漏区(110)的暴露区域和接触孔(310)在非晶硅层(251)中的侧壁表面形成接触层(111)；i)在所述接触孔中填充第二导电材料，形成接触塞(320)。